元器件型号:59
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: PDV-P8103
描述: PHOTOCELL 16-33KOHM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-1
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P8103' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: PDV-P8104
描述: PHOTOCELL 27-60KOHM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-2
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P8104' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8104' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8104' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8104' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: NSL-19M51
描述: PHOTOCELL
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间(典型值):-
下降时间(典型值):-
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100
工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-3
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-19M51' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-19M51' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-19M51' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-19M51' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: NSL-6112
描述: PHOTOCELL
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
波长:690nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间(典型值):-
下降时间(典型值):-
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2
工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-4
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-6112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-6112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-6112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-6112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: PDV-P9203
描述: PHOTOCELL 10K-30K OHM 4.20MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):70ms
下降时间(典型值):15ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-5
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P9203' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9203' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9203' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9203' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: PDV-P9004
描述: PHOTOCELL 27K-60K OHM 4.20MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-6
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P9004' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态: 在售
型号: PDV-P9200
描述: PHOTOCELL 10K-50K OHM 4.20MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 50 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):70ms
下降时间(典型值):15ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 50 千
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-7
包装:
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合作现货:0
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型号: PDV-P9007
描述: PHOTOCELL 10K-100K OHM 4.20MM
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波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 100
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-8
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9007' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PDV-P9001
描述: PHOTOCELL 4K-11K OHM 4.20MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 50 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 100 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-25°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧
工作温度:-25°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-9
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P9001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PDV-P9002-1
描述: PHOTOCELL 11K-27K OHM 4.20MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 50 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 100 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-25°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 11 ~ 27 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 11 ~ 27 千
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-10
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9002-1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: PDV-P9003-1
描述: PHOTOCELL 23K-33K OHM 4.20MM
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波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
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不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 23 ~ 33 千
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外壳:
封装:-
料号:CGQ6-11
包装:
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型号: PDV-P8001
描述: PHOTOCELL 3K-11K OHM 5.10MM
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波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):55ms
下降时间(典型值):20ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 200 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 11 千欧
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-12
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: PDV-P8101
描述: PHOTOCELL 4K-11K OHM 5.10MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 50 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 100 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-25°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 11 ~ 27 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 23 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 200 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 11 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 150 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
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外壳:
封装:-
料号:CGQ6-13
包装:
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型号: NSL-06S53
描述: PHOTOCELL
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外壳:
封装:-
料号:CGQ6-14
包装:
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型号: NSL-5150
描述: PHOTOCELL
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波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间(典型值):-
下降时间(典型值):-
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 10 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 10 ~ 20 千
工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-15
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-5150' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: NSL-5540
描述: PHOTOCELL CDS FLAT LENS TO5 HERM
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波长:550nm
电压 - 最大值:125Vpk
上升时间(典型值):-
下降时间(典型值):-
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 20 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 20 ~ 40 千
工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-16
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5540' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: NSL-5910
描述: PHOTOCELL CDS TO-8 HERMETIC
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 50 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 100 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-25°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 11 ~ 27 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 23 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 200 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 11 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 150 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 10 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 10 ~ 20 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:125Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 20 ~ 40 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 千欧 100 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1 ~ 2 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
波长:550nm
电压 - 最大值:170Vpk
上升时间(典型值):-
下降时间(典型值):-
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 千欧 100 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1 ~ 2 千欧
工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-17
包装:
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型号: NSL-4960
描述: PHOTOCELL
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 50 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 100 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-25°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 11 ~ 27 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 23 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 200 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 11 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 150 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 10 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 10 ~ 20 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:125Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 20 ~ 40 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 千欧 100 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1 ~ 2 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:515nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.5 ~ 17 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
波长:515nm
电压 - 最大值:320Vpk
上升时间(典型值):-
下降时间(典型值):-
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.5 ~ 17
工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-18
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-4960' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: NSL-5112
描述: PHOTOCELL CDS 700OHM TO-18
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 50 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 100 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-25°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 11 ~ 27 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 23 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 200 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 11 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 150 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 10 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 10 ~ 20 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:125Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 20 ~ 40 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 千欧 100 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1 ~ 2 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:515nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.5 ~ 17 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 6 ~ 14 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
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上升时间(典型值):-
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不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 千欧 670 千欧
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封装:-
料号:CGQ6-19
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-5112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: NSL-5152
描述: PHOTOCELL CDS 400OHM TO-18
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 27 ~ 60 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):70ms *下降时间(典型值):15ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 50 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 100 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-25°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 11 ~ 27 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 23 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 200 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 11 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 150 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 11 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 10 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 10 ~ 20 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:125Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 20 ~ 40 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 千欧 100 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1 ~ 2 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:515nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.5 ~ 17 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 6 ~ 14 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 千欧 10 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 10 ~ 20 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间(典型值):-
下降时间(典型值):-
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 千欧 10 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 10 ~ 20 千
工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-20
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-5152' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5152' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5152' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5152' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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