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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NSL-4132
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL CDS 500OHM TO-18
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：550nm
电压 - 最大值：80Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 秒时为 1.8 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-21
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-4132' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-4132' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-4132' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-4132' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： PDV-P7002
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL CONDUCT CDS 0.263X.249
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA）
波长：520nm
电压 - 最大值：350Vpk
上升时间（典型值）：55ms
下降时间（典型值）：20ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 10 千欧 500 千欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧
工作温度：-30°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-22
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P7002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NSL-5532
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL CDS 10KOHM TO-5
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：550nm
电压 - 最大值：320Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 秒时为 11 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：在 21 勒克斯时为 110 ~ 220
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-23
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-5532' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5532' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5532' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5532' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NSL-5162
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：550nm
电压 - 最大值：100Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 千欧 67 千欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-24
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-5162' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5162' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5162' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5162' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： PDV-P9103
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL 20K-45K OHM 4.20MM
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA）
波长：520nm
电压 - 最大值：150Vpk
上升时间（典型值）：60ms
下降时间（典型值）：25ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 10 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千
工作温度：-30°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-25
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P9103' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： PDV-P9003
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL 16K-33K OHM 4.20MM
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA）
波长：520nm
电压 - 最大值：150Vpk
上升时间（典型值）：60ms
下降时间（典型值）：25ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 10 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千
工作温度：-30°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-26
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P9003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NSL-19-018
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL CDS RES 550NM TO-18
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：550nm
电压 - 最大值：100Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-27
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-19-018' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-19-018' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PDV-P5003
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL 12K-58K OHM 11MM
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA）
波长：520nm
电压 - 最大值：350Vpk
上升时间（典型值）：55ms
下降时间（典型值）：25ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 10 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千
工作温度：-30°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-28
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P5003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P5003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P5003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P5003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PDV-P8102
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL 9K-20K OHM 5.10MM
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA）
波长：520nm
电压 - 最大值：150Vpk
上升时间（典型值）：60ms
下降时间（典型值）：25ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 10 千欧 300 千欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧
工作温度：-30°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-29
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P8102' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： PDV-P8005
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL 40K-120K OHM 5.10MM
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA）
波长：520nm
电压 - 最大值：150Vpk
上升时间（典型值）：60ms
下降时间（典型值）：25ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 10 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 40 ~ 120
工作温度：-30°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-30
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P8005' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NSL-6110
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL CDS 170OHM TO-18
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：615nm
电压 - 最大值：100Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 秒时为 1.3 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2.
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-31
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-6110' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： NSL-5110
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：550nm
电压 - 最大值：100Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 千欧 670 千欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-32
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSL-7910
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：615nm
电压 - 最大值：250Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 秒时为 1.5 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 80 ~ 240
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-33
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-7910' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-7910' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-7910' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-7910' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSL-6910
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:25 ~ 250 欧姆 @ 21 lux *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：690nm
电压 - 最大值：170Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 千欧 67 千欧
不同光照条件下的槽电阻：25 ~ 250 欧姆 @ 21 lux
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-34
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-6910' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： NSL-5510
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL CDS TYPE 5 FLAT TO-5
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:25 ~ 250 欧姆 @ 21 lux *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:120Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 220 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 2.2 ~ 4.4 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：550nm
电压 - 最大值：120Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 千欧 220 千欧
不同光照条件下的槽电阻：在 21 勒克斯时为 2.2 ~ 4.4
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-35
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-5510' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5510' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-5510' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： NSL-6510
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL CDS TYPE 5 FLAT TO-5
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:25 ~ 250 欧姆 @ 21 lux *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:120Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 220 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 2.2 ~ 4.4 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:125Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:400 ~ 800 欧姆 @ 21 lu *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：615nm
电压 - 最大值：125Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 秒时为 1.3 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：400 ~ 800 欧姆 @ 21 lu
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-36
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-6510' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-6510' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-6510' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-6510' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSL-4140
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL CDS 250OHM TO-18
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:25 ~ 250 欧姆 @ 21 lux *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:120Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 220 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 2.2 ~ 4.4 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:125Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:400 ~ 800 欧姆 @ 21 lu *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 800 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8.4 ~ 19. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
波长：550nm
电压 - 最大值：100Vpk
上升时间（典型值）：-
下降时间（典型值）：-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 5 千欧 800 千欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 8.4 ~ 19.
工作温度：-60°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-37
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSL-4140' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-4140' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-4140' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSL-4140' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PDV-P9005-1
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL 48K-140K OHM 4.20MM
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:25 ~ 250 欧姆 @ 21 lux *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:120Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 220 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 2.2 ~ 4.4 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:125Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:400 ~ 800 欧姆 @ 21 lu *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 800 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8.4 ~ 19. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 48 ~ 140 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA）
波长：520nm
电压 - 最大值：150Vpk
上升时间（典型值）：60ms
下降时间（典型值）：25ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 10 秒时为 20 兆欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 48 ~ 140
工作温度：-30°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-38
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P9005-1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9005-1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9005-1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9005-1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PDV-P5002
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL 12K-30K OHM 11MM
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:25 ~ 250 欧姆 @ 21 lux *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:120Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 220 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 2.2 ~ 4.4 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:125Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:400 ~ 800 欧姆 @ 21 lu *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 800 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8.4 ~ 19. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 48 ~ 140 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA）
波长：520nm
电压 - 最大值：350Vpk
上升时间（典型值）：55ms
下降时间（典型值）：25ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 10 千欧 500 千欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 12 ~ 30 千
工作温度：-30°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-39
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P5002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P5002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P5002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P5002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PDV-P5001
品牌： Luna Optoelectronics
描述： PHOTOCELL 8K-16K OHM 11MM
参数： 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:80Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:20ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 4 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:320Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 45 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 58 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 40 ~ 120 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:690nm *电压 - 最大值:170Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:25 ~ 250 欧姆 @ 21 lux *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:120Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 220 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 2.2 ~ 4.4 *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:615nm *电压 - 最大值:125Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:400 ~ 800 欧姆 @ 21 lu *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间（典型值）:- *下降时间（典型值）:- *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 800 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8.4 ~ 19. *工作温度:-60°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间（典型值）:60ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 48 ~ 140 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 12 ~ 30 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA） 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350Vpk *上升时间（典型值）:55ms *下降时间（典型值）:25ms *不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 16 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C（TA）
波长：520nm
电压 - 最大值：350Vpk
上升时间（典型值）：55ms
下降时间（典型值）：25ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）：在 10 千欧 300 千欧
不同光照条件下的槽电阻：在 10 勒克斯时为 8 ~ 16 千欧
工作温度：-30°C ~ 75°C（TA）
外壳：
封装：-
料号：CGQ6-40
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P5001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P5001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P5001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P5001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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