元器件型号:59
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: PDV-P8107
描述: PHOTOCELL 80K-240K OHM 5.10MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-41
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P8107' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8107' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8107' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8107' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: NORPS-12
描述: PHOTOCELL
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
波长:550nm
电压 - 最大值:250Vpk
上升时间(典型值):-
下降时间(典型值):-
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12.
工作温度:-60°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-42
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NORPS-12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NORPS-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NORPS-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NORPS-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PDV-P9005
描述: PHOTOCELL 50K-94K OHM 4.20MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-43
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P9005' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: PDV-P8006
描述: PHOTOCELL 80K-240K OHM 5.10MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-44
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P8006' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8006' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8006' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8006' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PDV-P9008
描述: PHOTOCELL 10K-200K OHM 4.20MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-45
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P9008' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9008' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9008' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9008' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PDV-P9002
描述: PHOTOCELL 9K-20K OHM 4.20MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-46
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P9002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PDV-P9006
描述: PHOTOCELL 80K-200K OHM 4.20MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-47
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P9006' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P9006' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 350-00009
品牌: Parallax Inc. Parallax
描述: PHOTORESISTOR FOR BASIC STAMP
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):35ms *下降时间(典型值):5ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千 *工作温度:-40°C ~ 75°C(TA)
波长:-
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间(典型值):35ms
下降时间(典型值):5ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千
工作温度:-40°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-48
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '350-00009' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Parallax Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '350-00009' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '350-00009' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '350-00009' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: PDV-P8105
描述: PHOTOCELL 50-94KOHM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):35ms *下降时间(典型值):5ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千 *工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1200 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千
工作温度:-30°C ~ 75°C(TA)
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-49
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P8105' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8105' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8105' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8105' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: PDV-P8002
描述: PHOTOCELL 8K-24K OHM 5.10MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):35ms *下降时间(典型值):5ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千 *工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1200 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧 *工作温度:-
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):50ms
下降时间(典型值):20ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧
工作温度:-
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-50
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P8002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P8002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: PDV-P8003
描述: PHOTOCELL 16K-33K OHM 5.10MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):35ms *下降时间(典型值):5ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千 *工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1200 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:-
波长:520nm
电压 - 最大值:150Vpk
上升时间(典型值):55ms
下降时间(典型值):20ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千
工作温度:-
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-51
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P8003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: PDV-P8004
描述: PHOTOCELL 20K-60K OHM 5.10MM
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不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 60 千
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料号:CGQ6-52
包装:
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型号: PDV-P8106
描述: PHOTOCELL 50K-140K OHM 5.10MM
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外壳:
封装:-
料号:CGQ6-53
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型号: PDV-P2001
描述: PHOTOCELL 100K-200K OHM .89MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):35ms *下降时间(典型值):5ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千 *工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1200 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 60 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 140 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:10 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 100 ~ 200 *工作温度:-
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P2001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P2001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: PDV-P2002
描述: PHOTOCELL 2K-6K OHM .89MM
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波长:-
电压 - 最大值:-
上升时间(典型值):-
下降时间(典型值):-
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):-
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 2 ~ 6 千欧
工作温度:-
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-55
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P2002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P2002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: PDV-P7001
描述: PHOTOCELL 3.6K-14.4K OHM 7.2MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):35ms *下降时间(典型值):5ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千 *工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1200 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 60 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 140 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:10 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 100 ~ 200 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:10 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 2 ~ 6 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:114 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350VDC *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3.6 ~ 14. *工作温度:-
波长:520nm
电压 - 最大值:350VDC
上升时间(典型值):50ms
下降时间(典型值):20ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3.6 ~ 14.
工作温度:-
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-56
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P7001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: PDV-P7003
描述: PHOTOCELL 8K-24K OHM 7.2MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):35ms *下降时间(典型值):5ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千 *工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1200 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 60 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 140 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:10 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 100 ~ 200 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:10 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 2 ~ 6 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:114 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350VDC *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3.6 ~ 14. *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:114 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350VDC *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧 *工作温度:-
波长:520nm
电压 - 最大值:350VDC
上升时间(典型值):55ms
下降时间(典型值):20ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧
工作温度:-
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-57
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P7003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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型号: PDV-P7004
描述: PHOTOCELL 15K-60K OHM 7.2MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):35ms *下降时间(典型值):5ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千 *工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1200 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 60 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 140 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:10 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 100 ~ 200 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:10 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 2 ~ 6 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:114 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350VDC *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3.6 ~ 14. *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:114 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350VDC *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350VDC *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 15 ~ 60 千 *工作温度:-
波长:520nm
电压 - 最大值:350VDC
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 15 ~ 60 千
工作温度:-
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-58
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P7004' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: PDV-P7005
描述: PHOTOCELL 50K-150K OHM 7.2MM
参数: 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:550nm *电压 - 最大值:250Vpk *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 15 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12. *工作温度:-60°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 10 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 9 ~ 20 千欧 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 200 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:100Vpk *上升时间(典型值):35ms *下降时间(典型值):5ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 5 秒时为 1 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千 *工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1200 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 2.5 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 94 千 *工作温度:-30°C ~ 75°C(TA) 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:150Vpk *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 16 ~ 33 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 60 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1000 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 140 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:10 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 100 ~ 200 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:10 系列:- *波长:- *电压 - 最大值:- *上升时间(典型值):- *下降时间(典型值):- *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):- *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 2 ~ 6 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:114 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350VDC *上升时间(典型值):50ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 300 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3.6 ~ 14. *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:114 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350VDC *上升时间(典型值):55ms *下降时间(典型值):20ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 24 千欧 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:1 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350VDC *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 千欧 500 千欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 15 ~ 60 千 *工作温度:- 芯片包装数量: 价格添加日期:0 包装: 数量: 最小起订MOQ:- 最低订购数量是:114 系列:- *波长:520nm *电压 - 最大值:350VDC *上升时间(典型值):60ms *下降时间(典型值):25ms *不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧 *不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 150 *工作温度:-
波长:520nm
电压 - 最大值:350VDC
上升时间(典型值):60ms
下降时间(典型值):25ms
不同暗光条件下的糟电阻(最小值):在 10 秒时为 20 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 50 ~ 150
工作温度:-
外壳:
封装:-
料号:CGQ6-59
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDV-P7005' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Luna Optoelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDV-P7005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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