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元器件型号：2486 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： IXXN110N65B4H1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：215A
4最大值功率(W)4：750W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXXN110N65B4H1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXXN110N65B4H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXXN110N65B4H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXXN110N65B4H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： IXDN75N120
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：660W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-2
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN75N120' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN75N120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN75N120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN75N120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APT75GP120JDQ3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：128A
4最大值功率(W)4：543W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-3
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT100GT120JRDQ4
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：123A
4最大值功率(W)4：570W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-4
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT600A60G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：700A
4最大值功率(W)4：2300W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-5
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT600A60G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600A60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600A60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600A60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT600U170D4G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1100A
4最大值功率(W)4：2900W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D4
封装：D4
料号：JTG11-6
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGL475A120D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：610A
4最大值功率(W)4：2080W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-7
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL475A120D3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475A120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475A120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475A120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STGE200NB60S
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP
料号：JTG11-8
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STGE200NB60S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE200NB60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE200NB60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE200NB60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IXYN82N120C3H1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：105A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-9
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXYN82N120C3H1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN82N120C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN82N120C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN82N120C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MG06150S-BN4MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 600V 150A 500W S3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
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料号：JTG11-10
包装：
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合作现货:0
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型号： APTGF75H120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-11
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75H120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGL475U120DAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
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6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
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包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475U120DAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
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型号： MG12450WB-BN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：1950W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：WB
料号：JTG11-13
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG12450WB-BN2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APT200GN60J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：283A
4最大值功率(W)4：682W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-14
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT200GN60J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT75GP120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：128A
4最大值功率(W)4：543W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-15
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT75GP120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GP120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GP120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APT100GT120JU2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：140A
4最大值功率(W)4：480W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：SOT-227
料号：JTG11-16
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT120JU2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT50X60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：176W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-17
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50X60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50X60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50X60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGFQ25H120T2G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1200V 40A 227W MODULE
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT 型和场截止型 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：227W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP2
封装：SP2
料号：JTG11-18
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGFQ25H120T2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGFQ25H120T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGFQ25H120T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGFQ25H120T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-GA250SA60S
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT 型和场截止型 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.66V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：961W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4
封装：SOT-227
料号：JTG11-19
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APT60GF120JRDQ3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1100A *4最大值功率(W)*4:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:128A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 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1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：149A
4最大值功率(W)4：625W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-20
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GF120JRDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GF120JRDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GF120JRDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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