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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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*功率 - 最大值

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不同?vge，ic 时的?vce（on）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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*输入

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*ntc 热敏电阻

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 6MS20017E43W37032NOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 1200A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1700V
4最大值功率(W)4：1700V
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1981
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6MS20017E43W37032NOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 6MS20017E43W38170NOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 1200A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1700V
4最大值功率(W)4：1700V
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1982
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6MS20017E43W38170NOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： 6MS30017E43W38169NOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 1800A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1700V
4最大值功率(W)4：1700V
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1983
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6MS30017E43W38169NOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6MS30017E43W38169NOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 6MS30017E43W40372NOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 1800A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1800A
4最大值功率(W)4：29140W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1984
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6MS30017E43W40372NOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6MS30017E43W40372NOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6MS30017E43W40372NOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6MS30017E43W40372NOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 6MS30017E43W34404NOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 4280A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：4280A
4最大值功率(W)4：32300W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1985
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6MS30017E43W34404NOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6MS30017E43W34404NOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6MS30017E43W34404NOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6MS30017E43W34404NOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FZ1500R33HE3C1NPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：3300V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1500A
4最大值功率(W)4：2400000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：AG-IHVB190-3
料号：JTG11-1986
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FZ1500R33HE3C1NPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ1500R33HE3C1NPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ1500R33HE3C1NPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ1500R33HE3C1NPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FZ500R65KE3C1NPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
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1配置1：单开关
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：A-IHV130-6
料号：JTG11-1987
包装：
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合作现货:0
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型号： FZ750R65KE3C1NOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
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1配置1：单开关
2集射极击穿-最大电压(V)：6500V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：A-IHV190-6
料号：JTG11-1988
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ750R65KE3C1NOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FZ1000R33HE3C1NOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
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1配置1：单开关
2集射极击穿-最大电压(V)：3300V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1kA
4最大值功率(W)4：1600000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：AG-IHVB130-3
料号：JTG11-1989
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ1000R33HE3C1NOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APT50GLQ65JU2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 80A 220W ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V
1配置1：升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：220W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-1990
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MIXA100PF1200TMH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 155A MINIPACK2
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：155A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：MiniPack2
封装：MiniPack2
料号：JTG11-1991
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA100PF1200TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： CMAVC60VRM99T3AMG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC POWER MODULE SMD
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
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4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1992
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMAVC60VRM99T3AMG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： CMTDGF90H603G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC POWER MODULE SMD
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
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料号：JTG11-1993
包装：
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合作现货:0
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型号： CMSDDF40H60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC POWER MODULE SMD
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
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外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1994
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型号： CMLRGLQ80V601AMXG-AS
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC POWER MODULE SMD
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC POWER MODULE SMD
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
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4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1996
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMTDGF50H603G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： CMLOGU50H60T3FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC POWER MODULE SMD
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1997
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLOGU50H60T3FG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMSDC60H19B3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC POWER MODULE SMD
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
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5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1998
包装：
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合作现货:0
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型号： CMLRGF60V601AMXG-AS
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC POWER MODULE SMD
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1999
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLRGF60V601AMXG-AS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： QID1210005
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MODULE 1200V 100A 730W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1800A *4最大值功率(W)*4:29140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:ModSTACK™ HD 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:4280A *4最大值功率(W)*4:32300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:2400000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1.5kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:2000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:135nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):6500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:3000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，750A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:205nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1kA *4最大值功率(W)*4:1600000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1kA 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:730W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 10V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：730W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-2000
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QID1210005' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QID1210005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QID1210005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QID1210005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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