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元器件型号：2486 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： IXBN42N170A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：42A
4最大值功率(W)4：312W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-201
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXBN42N170A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXBN42N170A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXBN42N170A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXBN42N170A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： APT40GL120JU3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 65A 220W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：65A
4最大值功率(W)4：220W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-202
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT40GL120JU3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GL120JU3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GL120JU3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GL120JU3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT40GL120JU2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 65A 220W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：65A
4最大值功率(W)4：220W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-203
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT40GL120JU2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GL120JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GL120JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GL120JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MIAA10WB600TMH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 18A 70W MINIPACK2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：18A
4最大值功率(W)4：70W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：MINIPACK2
封装：迷你型PACK2
料号：JTG11-204
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIAA10WB600TMH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA10WB600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA10WB600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA10WB600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MIAA15WD600TMH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 23A 80W MINIPACK2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：23A
4最大值功率(W)4：80W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：MINIPACK2
封装：迷你型PACK2
料号：JTG11-205
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIAA15WD600TMH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA15WD600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA15WD600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA15WD600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APT50GR120JD30
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：84A
4最大值功率(W)4：417W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4
封装：SOT-227
料号：JTG11-206
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT50GR120JD30' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT50GR120JD30' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT50GR120JD30' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT50GR120JD30' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT35GT120JU2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：55A
4最大值功率(W)4：260W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：SOT-227
料号：JTG11-207
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT35GT120JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT35GT120JU3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
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6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：SOT-227
料号：JTG11-208
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT35GT120JU3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： APT30GF60JU3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 58A 192W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：58A
4最大值功率(W)4：192W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-209
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT30GF60JU3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT30GF60JU3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT30GF60JU3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT30GF60JU3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MIXA10WB1200TMH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 17A 63W MINIPACK2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：17A
4最大值功率(W)4：63W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：MINIPACK2
封装：迷你型PACK2
料号：JTG11-210
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA10WB1200TMH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA10WB1200TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT40GP60JDQ2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 86A 284W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：86A
4最大值功率(W)4：284W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-211
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT40GP60JDQ2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GP60JDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GP60JDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GP60JDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-GB05XP120KTPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 1200V 0 76W MTP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:12A *4最大值功率(W)*4:76W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：12A
4最大值功率(W)4：76W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：12-MTP 模块
封装：MTP
料号：JTG11-212
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB05XP120KTPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB05XP120KTPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB05XP120KTPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB05XP120KTPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： MUBW15-06A6K
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 19A 75W E1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:12A *4最大值功率(W)*4:76W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:75W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：19A
4最大值功率(W)4：75W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E1
封装：E1
料号：JTG11-213
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUBW15-06A6K' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW15-06A6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW15-06A6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： MIAA15WE600TMH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 23A 80W MINIPACK2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:12A *4最大值功率(W)*4:76W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:75W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：23A
4最大值功率(W)4：80W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：MINIPACK2
封装：迷你型PACK2
料号：JTG11-214
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIAA15WE600TMH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA15WE600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA15WE600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA15WE600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IXB200I600NA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 6000V SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:12A *4最大值功率(W)*4:76W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:75W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：
封装：
料号：JTG11-215
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXB200I600NA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MIXA80R1200VA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 120A 390W V1A-PAK
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:12A *4最大值功率(W)*4:76W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:75W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:- 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：120A
4最大值功率(W)4：390W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：V1A-PAK
封装：V1A-PAK
料号：JTG11-216
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA80R1200VA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA80R1200VA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APT50GT120JU2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:12A *4最大值功率(W)*4:76W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:75W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:- 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：SOT-227
料号：JTG11-217
包装：
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合作现货:0
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型号： APT50GT120JU3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:12A *4最大值功率(W)*4:76W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:75W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:- 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：347W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：SOT-227
料号：JTG11-218
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MIAA15WB600TMH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 23A 80W MINIPACK2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:12A *4最大值功率(W)*4:76W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:75W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:- 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
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5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：MINIPACK2
封装：迷你型PACK2
料号：JTG11-219
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MIAA20WD600TMH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 29A 100W MINIPACK2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，21A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:70W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.45nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:58A *4最大值功率(W)*4:192W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.85nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:12A *4最大值功率(W)*4:76W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:75W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:- 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:23A *4最大值功率(W)*4:80W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.7nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.9nF @ 25V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：29A
4最大值功率(W)4：100W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：MINIPACK2
封装：迷你型PACK2
料号：JTG11-220
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA20WD600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA20WD600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIAA20WD600TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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