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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MIXA60HU1200VA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 85A 290W V1A-PAK
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：85A
4最大值功率(W)4：290W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：V1A-PAK
封装：V1A-PAK
料号：JTG11-261
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA60HU1200VA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA60HU1200VA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA60HU1200VA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA60HU1200VA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MITB15WB1200TMH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 29A MINIPACK2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：29A
4最大值功率(W)4：100W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：MINIPACK2
封装：迷你型PACK2
料号：JTG11-262
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MITB15WB1200TMH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MITB15WB1200TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MITB15WB1200TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MITB15WB1200TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-CPV362M4FPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：8.8A
4最大值功率(W)4：23W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：19-SIP（13 引线），IMS-2
封装：IMS-2
料号：JTG11-263
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-CPV362M4FPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV362M4FPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV362M4FPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV362M4FPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGF30A60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：42A
4最大值功率(W)4：140W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-264
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF30A60T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF30A60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF30A60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF30A60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT100GT120JR
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：123A
4最大值功率(W)4：570W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-265
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT120JR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTGF15A120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 25A 140W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：25A
4最大值功率(W)4：140W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-266
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF15A120T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF15A120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF15A120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF15A120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CPV363M4K
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2
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外壳：19-SIP（13 引线），IMS-2
封装：IMS-2
料号：JTG11-267
包装：
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型号： CPV364M4U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
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料号：JTG11-268
包装：
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型号： VS-CPV362M4KPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
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外壳：19-SIP（13 引线），IMS-2
封装：IMS-2
料号：JTG11-269
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-CPV362M4KPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV362M4KPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV362M4KPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： VS-CPV362M4UPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：19-SIP（13 引线），IMS-2
封装：IMS-2
料号：JTG11-270
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV362M4UPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT100SK60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 600V 150A 340W SP4
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：340W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-271
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT100SK60T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT100SK60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT100SK60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT100SK60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VKI50-06P1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 42.5A ECO-PAC2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42.5A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：42.5A
4最大值功率(W)4：130W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：ECO-PAC2
封装：ECO-PAC2
料号：JTG11-272
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VKI50-06P1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKI50-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKI50-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKI50-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MUBW6-06A6
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 7A 38W E1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42.5A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7A *4最大值功率(W)*4:38W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，4A 电流-集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：7A
4最大值功率(W)4：38W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E1
封装：E1
料号：JTG11-273
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUBW6-06A6' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW6-06A6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW6-06A6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW6-06A6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXGN100N160A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1600V 200A SOT227B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42.5A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7A *4最大值功率(W)*4:38W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，4A 电流-集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：200A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-274
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN100N160A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN100N160A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN100N160A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN100N160A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IXGN100N170
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42.5A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7A *4最大值功率(W)*4:38W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，4A 电流-集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-275
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN100N170' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN100N170' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN100N170' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： MUBW35-06A6K
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 42A 130W E1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42.5A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7A *4最大值功率(W)*4:38W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，4A 电流-集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：42A
4最大值功率(W)4：130W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E1
封装：E1
料号：JTG11-276
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUBW35-06A6K' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW35-06A6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW35-06A6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW35-06A6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF30TL601G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42.5A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7A *4最大值功率(W)*4:38W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，4A 电流-集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：42A
4最大值功率(W)4：140W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-277
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF30TL601G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APT100GN120JDQ4
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42.5A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7A *4最大值功率(W)*4:38W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，4A 电流-集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：153A
4最大值功率(W)4：446W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-278
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GN120JDQ4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GN120JDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MUBW30-12A6K
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 30A 130W E1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42.5A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7A *4最大值功率(W)*4:38W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，4A 电流-集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
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6ntc热敏电阻6：是
外壳：E1
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料号：JTG11-279
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MIXA150Q1200VA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 220A 695W V1A-PAK
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:29A *4最大值功率(W)*4:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:8.8A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，4.8A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，11A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.84V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7.2A *4最大值功率(W)*4:23W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，3.9A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.53nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42.5A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:7A *4最大值功率(W)*4:38W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，4A 电流-集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.34nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：695W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：V1A-PAK
封装：V1A-PAK
料号：JTG11-280
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA150Q1200VA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA150Q1200VA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA150Q1200VA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA150Q1200VA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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