首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 晶体管 - IGBT - 模块
元器件型号：2486 件
当前类别共2486 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

igbt 类型

清除

*配置

清除

电压 - 集射极击穿（最大值）

清除

*电流 - 集电极（ic）（最大值）

清除

*功率 - 最大值

清除

不同?vge，ic 时的?vce（on）

清除

电流 - 集电极截止（最大值）

清除

不同?vce 时的输入电容（cies）

清除

*输入

清除

*ntc 热敏电阻

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 2486
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MIXA150R1200VA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 220A 695W V1A-PAK
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：695W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：V1A-PAK
封装：V1A-PAK
料号：JTG11-281
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA150R1200VA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA150R1200VA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA150R1200VA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA150R1200VA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MWI60-06G6K
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 60A 180W E1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：60A
4最大值功率(W)4：180W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E1
封装：E1
料号：JTG11-282
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI60-06G6K' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI60-06G6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI60-06G6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI60-06G6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT20H60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 32A 62W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：32A
4最大值功率(W)4：62W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-283
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT20H60T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20H60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20H60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20H60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VWI20-06P1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 19A 73W ECO-PAC2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：19A
4最大值功率(W)4：73W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：ECO-PAC2
封装：ECO-PAC2
料号：JTG11-284
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VWI20-06P1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VWI20-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VWI20-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VWI20-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MIXA40W1200TML
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 60A 195W E1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：60A
4最大值功率(W)4：195W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E1
封装：E1
料号：JTG11-285
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA40W1200TML' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA40W1200TML' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA40W1200TML' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA40W1200TML' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VII130-06P1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 121A 379W ECO-PAC2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：121A
4最大值功率(W)4：379W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：ECO-PAC2
封装：ECO-PAC2
料号：JTG11-286
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VII130-06P1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VII130-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VII130-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VII130-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF90A60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 110A 416W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：110A
4最大值功率(W)4：416W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-287
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF90A60T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90A60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90A60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90A60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MIXA10WB1200TED
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 17A 60W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：17A
4最大值功率(W)4：60W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-288
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA10WB1200TED' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA10WB1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA10WB1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA10WB1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MWI15-12A7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 30A 140W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：30A
4最大值功率(W)4：140W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-289
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI15-12A7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI15-12A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI15-12A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI15-12A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT75A60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-290
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT75A60T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75A60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75A60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75A60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-GB15XP120KTPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 1200V 30A 187W MTP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:187W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.66V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：30A
4最大值功率(W)4：187W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：12-MTP 模块
封装：MTP
料号：JTG11-291
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB15XP120KTPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB15XP120KTPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB15XP120KTPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB15XP120KTPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF50DA120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:187W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.66V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：312W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-292
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF50DA120T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50DA120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50DA120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50DA120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF50SK120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:187W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.66V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：312W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-293
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF50SK120T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50SK120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50SK120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50SK120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MIXA40W1200TMH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 60A MINIPACK2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:187W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.66V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：60A
4最大值功率(W)4：195W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：MINIPACK2
封装：迷你型PACK2
料号：JTG11-294
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA40W1200TMH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA40W1200TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA40W1200TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA40W1200TMH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MWI30-06A7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 45A 140W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:187W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.66V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：45A
4最大值功率(W)4：140W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-295
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI30-06A7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI30-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI30-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI30-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF90DA60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 110A 416W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:187W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.66V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：110A
4最大值功率(W)4：416W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-296
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF90DA60T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90DA60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90DA60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90DA60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF90SK60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 110A 416W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:187W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.66V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：110A
4最大值功率(W)4：416W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-297
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF90SK60T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90SK60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90SK60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90SK60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-CPV363M4FPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:187W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.66V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：无
外壳：19-SIP（13 引线），IMS-2
封装：IMS-2
料号：JTG11-298
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-CPV363M4FPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV363M4FPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV363M4FPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV363M4FPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-CPV364M4FPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 27A 63W IMS-2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:187W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.66V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:27A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：27A
4最大值功率(W)4：63W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：19-SIP（13 引线），IMS-2
封装：IMS-2
料号：JTG11-299
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-CPV364M4FPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV364M4FPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV364M4FPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV364M4FPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT30DA170T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1700V 45A 210W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:121A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，130A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:17A *4最大值功率(W)*4:60W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，9A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:700µA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:187W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.66V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:150µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:- *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:27A *4最大值功率(W)*4:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：45A
4最大值功率(W)4：210W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-300
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT30DA170T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT30DA170T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT30DA170T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT30DA170T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有2486个记录    每页显示20条，本页281-300条    15/125页    首 页    上一页   11  12  13  14  15  16  17  18  19   下一页    尾 页      
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922