首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 晶体管 - IGBT - 模块
元器件型号：2486 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTGF50TL60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：65A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-361
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF50TL60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50TL60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50TL60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50TL60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： VS-70MT060WSP
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 96A 378W MTP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：96A
4最大值功率(W)4：378W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：12-MTP 模块
封装：MTP
料号：JTG11-362
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-70MT060WSP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-70MT060WSP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-70MT060WSP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-70MT060WSP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGF25DDA120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：双路升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-363
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF25DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF25DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF25DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF25DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGF25DSK120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：双路降压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-364
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF25DSK120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF25DSK120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF25DSK120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF25DSK120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： VKI75-06P1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 69A 208W ECO-PAC2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：69A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：ECO-PAC2
封装：ECO-PAC2
料号：JTG11-365
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VKI75-06P1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKI75-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKI75-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKI75-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MUBW30-06A7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 50A 180W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：180W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-366
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUBW30-06A7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW30-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW30-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW30-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT75DA170T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1700V 130A 465W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
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4最大值功率(W)4：465W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-367
包装： -
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75DA170T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MKI75-06A7T
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
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6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-368
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MKI75-06A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MKI75-06A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MKI75-06A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MII75-12A3
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：90A
4最大值功率(W)4：370W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：Y4-M5
封装：Y4-M5
料号：JTG11-369
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MII75-12A3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MII75-12A3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MII75-12A3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MII75-12A3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT100DH60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOD IGBT 600V 150A SP3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：非对称桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：340W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-370
包装： -
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合作现货:0
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型号： MIXA40W1200TED
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 60A 195W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：60A
4最大值功率(W)4：195W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-371
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA40W1200TED' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA40W1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-GB50LP120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：446W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：INT-A-PAK（3 + 4）
封装：INT-A-PAK
料号：JTG11-372
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB50LP120N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB50LP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB50LP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB50LP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF50A120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：312W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-373
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF50A120T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50A120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50A120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50A120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-70MT060WHTAPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 100A 347W MTP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：347W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：12-MTP 模块
封装：MTP
料号：JTG11-374
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-70MT060WHTAPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-70MT060WHTAPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-70MT060WHTAPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-70MT060WHTAPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MIXA30WB1200TED
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 43A 150W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:43A *4最大值功率(W)*4:150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1.5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5mA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：43A
4最大值功率(W)4：150W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-375
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA30WB1200TED' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA30WB1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA30WB1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： APTGF100DA120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 130A 735W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:43A *4最大值功率(W)*4:150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1.5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5mA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：130A
4最大值功率(W)4：735W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-376
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF100DA120T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MUBW15-12T7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 30A 140W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:43A *4最大值功率(W)*4:150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1.5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5mA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：30A
4最大值功率(W)4：140W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-377
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUBW15-12T7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW15-12T7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW15-12T7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW15-12T7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MWI25-12A7T
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:43A *4最大值功率(W)*4:150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1.5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5mA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：225W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-378
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI25-12A7T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI25-12A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI25-12A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI25-12A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MIXA61H1200ED
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:43A *4最大值功率(W)*4:150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1.5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5mA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：85A
4最大值功率(W)4：290W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-379
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA61H1200ED' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA61H1200ED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA61H1200ED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA61H1200ED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGF50H60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 30V *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:69A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:180W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:465W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.4V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:43A *4最大值功率(W)*4:150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1.5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5mA *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：65A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-380
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50H60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50H60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF50H60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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