首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 晶体管 - IGBT - 模块
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MG12150S-BN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：625W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：S-3 模块
封装：S3
料号：JTG11-21
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG12150S-BN2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12150S-BN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MG06200S-BN4MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 600V 200A 600W S3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：S-3 模块
封装：S3
料号：JTG11-22
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG06200S-BN4MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG06200S-BN4MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MG12200D-BA1MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 300A 1400W D3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：1400W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：D3
料号：JTG11-23
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG12200D-BA1MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12200D-BA1MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12200D-BA1MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12200D-BA1MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT200DU120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：双，共源
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：280A
4最大值功率(W)4：890W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-24
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT200DU120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT200DU120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT200DU120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT200DU120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGL475U120D4G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 610A 2082W D4
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：610A
4最大值功率(W)4：2082W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D4
封装：D4
料号：JTG11-25
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL475U120D4G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475U120D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475U120D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475U120D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MG12150W-XN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MOD 1200V 200A 625W
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：625W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-26
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG12150W-XN2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12150W-XN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGF300A120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：1780W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-27
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF300A120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF300A120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF300A120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF300A120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT85GR120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：116A
4最大值功率(W)4：543W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-28
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT85GR120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT85GR120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT85GR120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT85GR120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT200A120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：280A
4最大值功率(W)4：890W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-29
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT200A120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT200A120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT200A120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT200A120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MG12300D-BN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 480A 1450W D3
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包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MG06400D-BN1MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 600V 460A 1400W D3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：460A
4最大值功率(W)4：1400W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-31
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG06400D-BN1MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-GB90DA60U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 147A 625W SOT227
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:147A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
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外壳：SOT-227-4
封装：SOT-227
料号：JTG11-32
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB90DA60U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： MG12150D-BA1MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:147A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
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合作现货:0
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型号： MG06300D-BN4MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 600V 300A 940W D3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:147A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
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料号：JTG11-34
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MG1275W-XBN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MOD 1200V 105A 348W
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:147A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：105A
4最大值功率(W)4：348W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-35
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG1275W-XBN2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MG12100W-XN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MOD 1200V 140A 450W
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:147A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：140A
4最大值功率(W)4：450W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-36
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG12100W-XN2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12100W-XN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12100W-XN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12100W-XN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FPF1C2P5MF07AM
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 620V 39A 231W F1
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:147A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):620V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:39A *4最大值功率(W)*4:231W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：620V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：39A
4最大值功率(W)4：231W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：无
外壳：F1 模块
封装：F1
料号：JTG11-37
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FPF2C8P2NL07A
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC LOAD SWITCH 650V 50A
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:147A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):620V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:39A *4最大值功率(W)*4:231W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:场截止 *1配置*1:三相 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:135W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：30A
4最大值功率(W)4：135W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：F2 模块
封装：F2
料号：JTG11-38
包装： -
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FPF2C8P2NL07A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FPF2G120BF07AS
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:147A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):620V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:39A *4最大值功率(W)*4:231W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:场截止 *1配置*1:三相 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:135W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:场截止 *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：3 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：156W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：32-模块
封装：32-HPM
料号：JTG11-39
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MG12400D-BN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 580A 1925W D3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:147A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 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*3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):620V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:39A *4最大值功率(W)*4:231W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA *5输入*5:单相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:场截止 *1配置*1:三相 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:135W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:场截止 *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:1925W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：580A
4最大值功率(W)4：1925W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：D3
料号：JTG11-40
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12400D-BN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12400D-BN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12400D-BN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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