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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTGT35H120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：55A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-421
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT35H120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT35H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT35H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT35H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MWI80-12T6K
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：270W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E1
封装：E1
料号：JTG11-422
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI80-12T6K' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI80-12T6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI80-12T6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI80-12T6K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXBN75N170
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：145A
4最大值功率(W)4：625W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-423
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXBN75N170' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXBN75N170' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXBN75N170' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXBN75N170' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT50DA170TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1700V 75A 312W SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V
1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：312W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-424
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50DA170TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50DA170TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50DA170TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50DA170TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT50SK170TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：312W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-425
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50SK170TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50SK170TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50SK170TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50SK170TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MWI75-06A7T
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：90A
4最大值功率(W)4：280W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-426
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI75-06A7T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI75-06A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI75-06A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI75-06A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MWI75-06A7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：90A
4最大值功率(W)4：280W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-427
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI75-06A7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI75-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI75-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI75-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 62A 280W E2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：62A
4最大值功率(W)4：280W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-428
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI35-12A7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI35-12A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI35-12A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI35-12A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 75A 250W E2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-429
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUBW50-06A7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW50-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW50-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW50-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MWI35-12A7T
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 62A 280W E2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：62A
4最大值功率(W)4：280W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-430
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI35-12A7T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI35-12A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI35-12A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI35-12A7T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTCV60HM70RT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MOD FULL BRIDGE SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-431
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTCV60HM70RT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60HM70RT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60HM70RT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60HM70RT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MG1215H-XBN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MOD 1200V 25A 105W
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：25A
4最大值功率(W)4：105W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-432
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG1215H-XBN2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1215H-XBN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1215H-XBN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1215H-XBN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGL90DH120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOD IGBT 1200V 110A SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V
1配置1：非对称桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：110A
4最大值功率(W)4：385W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-433
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL90DH120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90DH120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90DH120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90DH120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGL90DDA120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V
1配置1：双路升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：110A
4最大值功率(W)4：385W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-434
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL90DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGL90DSK120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V
1配置1：双路降压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：110A
4最大值功率(W)4：385W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-435
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL90DSK120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90DSK120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90DSK120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90DSK120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MUBW35-12A7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：225W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-436
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUBW35-12A7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW35-12A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW35-12A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW35-12A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MKI50-12F7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：65A
4最大值功率(W)4：350W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-437
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MKI50-12F7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MKI50-12F7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MKI50-12F7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MKI50-12F7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGF25H120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-438
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF25H120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF25H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF25H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF25H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF100A1202G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：135A
4最大值功率(W)4：568W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP2
封装：SP2
料号：JTG11-439
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF100A1202G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF100A1202G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF100A1202G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF100A1202G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGV75H60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:62A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT，沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-440
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGV75H60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGV75H60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGV75H60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGV75H60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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