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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： VS-GB90DA120U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：149A
4最大值功率(W)4：862W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-461
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB90DA120U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB90DA120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB90DA120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB90DA120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT25X120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：156W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-462
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT25X120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25X120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25X120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25X120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MIXA60W1200TED
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：85A
4最大值功率(W)4：290W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-463
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA60W1200TED' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA60W1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA60W1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA60W1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGF75DSK120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V
1配置1：双，共源
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-464
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF75DSK120TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75DSK120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75DSK120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75DSK120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT75X60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-465
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT75X60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75X60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75X60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75X60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGF100DA120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 135A 568W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：135A
4最大值功率(W)4：568W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-466
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF100DA120TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF100DA120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF100DA120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF100DA120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF100SK120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 135A 568W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：135A
4最大值功率(W)4：568W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-467
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF100SK120TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF100SK120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MIXA225RF1200TSF
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 360A 1100W
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：360A
4最大值功率(W)4：1100W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-468
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA225RF1200TSF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA225RF1200TSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA225RF1200TSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA225RF1200TSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT50H120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：270W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-469
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50H120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT50A170TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：312W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-470
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50A170TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50A170TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50A170TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50A170TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT75DU120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V
1配置1：双，共源
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：350W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-471
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT75DU120TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75DU120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75DU120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75DU120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTCV60HM70BT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器，全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V
1配置1：升压斩波器，全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-472
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTCV60HM70BT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60HM70BT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60HM70BT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60HM70BT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-150MT060WDF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 138A 12MTP PRESS
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器，全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:138A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.48V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 30V
1配置1：双路降压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：138A
4最大值功率(W)4：543W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：12-MTP 模块
封装：MTP
料号：JTG11-473
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-150MT060WDF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-150MT060WDF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-150MT060WDF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGF180DA60TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 220A 833W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器，全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:138A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.48V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：833W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-474
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF180DA60TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF180DA60TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF180DA60TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF180DA60TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF180SK60TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 220A 833W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器，全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:138A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.48V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：833W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-475
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF180SK60TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF180SK60TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF180SK60TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF180SK60TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGL60H120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器，全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:138A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.48V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：280W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-476
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL60H120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL60H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL60H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL60H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT100DA170TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器，全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:138A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.48V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：560W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-477
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT100DA170TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： APTGT100SK170TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器，全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:138A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.48V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：560W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-478
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT100SK170TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTGF25X120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器，全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:138A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.48V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-479
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF25X120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MII145-12A3
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A *4最大值功率(W)*4:862W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器，全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:138A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.48V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：160A
4最大值功率(W)4：700W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：Y4-M5
封装：Y4-M5
料号：JTG11-480
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MII145-12A3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MII145-12A3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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