首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 晶体管 - IGBT - 模块
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状态： 在售
型号： VS-GT200TP065N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 650V 221A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：221A
4最大值功率(W)4：600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：JTG11-521
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GT200TP065N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT200TP065N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT200TP065N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT200TP065N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGF75DDA120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V
1配置1：双，共源
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-522
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF75DDA120TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75DDA120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75DDA120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75DDA120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGF75DH120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V
1配置1：非对称桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-523
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF75DH120TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75DH120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75DH120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75DH120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGL90H120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：110A
4最大值功率(W)4：385W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-524
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL90H120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL90H120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MIXA80W1200TED
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 120A 390W E2
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：120A
4最大值功率(W)4：390W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-525
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA80W1200TED' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA80W1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA80W1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA80W1200TED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGT150A1202G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOD IGBT 1200V 220A SP2
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：690W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP2
封装：SP2
料号：JTG11-526
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT150A1202G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150A1202G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150A1202G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150A1202G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT100DH120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 140A 480W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V
1配置1：非对称桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：140A
4最大值功率(W)4：480W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-527
包装：
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合作现货:0
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型号： APTGF180DU60TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 220A 833W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V
1配置1：双，共源
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-528
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF180DU60TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGF150A120T3WG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：210A
4最大值功率(W)4：961W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-529
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF150A120T3WG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF150A120T3WG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF150A120T3WG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF150A120T3WG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF180A60TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 220A 833W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：833W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-530
包装：
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合作现货:0
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型号： MWI100-06A8
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：130A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-531
包装：
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型号： APTGF180DH60G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 220A 833W SP6
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V
1配置1：非对称桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：833W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-532
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF180DH60G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： APTGF350DA60G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 430A 1562W SP6
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，360A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.2nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：430A
4最大值功率(W)4：1562W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-533
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF350DA60G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF350DA60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF350DA60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF350DA60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MIXA80W1200TEH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，360A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：120A
4最大值功率(W)4：390W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-534
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA80W1200TEH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA80W1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA80W1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTGT150A120T3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 220A 833W SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，360A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：833W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-535
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT150A120T3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150A120T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150A120T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT150DA120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，360A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：690W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-536
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT150DA120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150DA120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150DA120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150DA120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MDI200-12A4
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，360A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:1130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):10mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：Y3-DCB
封装：Y3-DCB
料号：JTG11-537
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MID200-12A4
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，360A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:1130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):10mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:1130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):10mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：270A
4最大值功率(W)4：1130W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：Y3-DCB
封装：Y3-DCB
料号：JTG11-538
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MID200-12A4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF100DU120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 135A 568W SP4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，360A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:1130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):10mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:1130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):10mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V
1配置1：双，共源
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：135A
4最大值功率(W)4：568W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-539
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MIEB101H1200EH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:221A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:不可用于新设计 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，360A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.2nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:1130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):10mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:1130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):10mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:183A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：183A
4最大值功率(W)4：630W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-540
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIEB101H1200EH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIEB101H1200EH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIEB101H1200EH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIEB101H1200EH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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