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元器件型号：2486 件
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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MG12300D-BN3MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 450A 1450W D3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：450A
4最大值功率(W)4：1450W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-41
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG12300D-BN3MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12300D-BN3MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12300D-BN3MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12300D-BN3MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： GB100XCP12-227
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： IGBT 1200V 100A SOT-227
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：-
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4
封装：SOT-227
料号：JTG11-42
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GB100XCP12-227' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GB100XCP12-227' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GB100XCP12-227' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GB100XCP12-227' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： IXGN320N60A3
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：320A
4最大值功率(W)4：735W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-43
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN320N60A3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN320N60A3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN320N60A3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN320N60A3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT150GN120JDQ4
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：215A
4最大值功率(W)4：625W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-44
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT150GN120JDQ4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT150GN120JDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT150GN120JDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT150GN120JDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXXN110N65C4H1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：210A
4最大值功率(W)4：750W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-45
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXXN110N65C4H1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXXN110N65C4H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXXN110N65C4H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXXN110N65C4H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： IXGN120N60A3D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：595W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-46
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN120N60A3D1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN120N60A3D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN120N60A3D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN120N60A3D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXYN80N90C3H1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 900V 115A 500W SOT227B
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：900V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：115A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-47
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXYN80N90C3H1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN80N90C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN80N90C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN80N90C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXGN200N60B3
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：830W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-48
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN200N60B3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN200N60B3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN200N60B3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN200N60B3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APT200GN60JDQ4
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：283A
4最大值功率(W)4：682W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-49
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT200GN60JDQ4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60JDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60JDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60JDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IXYN100N120C3H1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：134A
4最大值功率(W)4：690W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-50
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXYN100N120C3H1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN100N120C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN100N120C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN100N120C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT150GN120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：215A
4最大值功率(W)4：625W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-51
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT150GN120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT150GN120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT150GN120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT150GN120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT75GT120JU2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：416W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：SOT-227
料号：JTG11-52
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT75GT120JU2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GT120JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GT120JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GT120JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MG1250S-BA1MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 80A 500W S3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：S-3 模块
封装：S3
料号：JTG11-53
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG1250S-BA1MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1250S-BA1MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1250S-BA1MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1250S-BA1MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MG1275S-BA1MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：105A
4最大值功率(W)4：630W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：S-3 模块
封装：S3
料号：JTG11-54
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG1275S-BA1MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1275S-BA1MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1275S-BA1MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1275S-BA1MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF180H60G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 220A 833W SP6
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：833W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-55
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF180H60G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF180H60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF180H60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF180H60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IXYN100N65C3H1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:166A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.98nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：166A
4最大值功率(W)4：600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-56
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXYN100N65C3H1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN100N65C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN100N65C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN100N65C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STGE50NC60WD
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:166A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.98nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：260W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP
料号：JTG11-57
包装： PowerMESH™
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STGE50NC60WD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE50NC60WD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE50NC60WD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE50NC60WD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT100GT60JR
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:166A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.98nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:148A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.15nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：148A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-58
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT60JR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT60JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT60JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT60JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT150GN60J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:166A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.98nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:148A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.15nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:536W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：536W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-59
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT150GN60J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT150GN60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT150GN60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT150GN60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT60GA60JD60
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.25V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:210A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，110A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.69nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):900V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:115A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.55nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:215A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.29nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:166A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.98nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:148A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.15nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:536W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:356W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，62A 电流-集电极截止(最大值):275µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.01nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：112A
4最大值功率(W)4：356W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-60
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT60GA60JD60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GA60JD60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GA60JD60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GA60JD60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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