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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTGT150A170G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：250A
4最大值功率(W)4：890W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-661
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT150A170G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150A170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150A170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150A170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MWI100-12A8
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：160A
4最大值功率(W)4：640W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-662
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI100-12A8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI100-12A8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI100-12A8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI100-12A8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： VS-GA300TD60S
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：530A
4最大值功率(W)4：1136W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 8）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-663
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GA300TD60S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GA300TD60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GA300TD60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GA300TD60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGT300DA170G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：1660W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-664
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT300DA170G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300DA170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300DA170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300DA170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGT300SK170G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：1660W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-665
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT300SK170G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300SK170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300SK170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300SK170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MWI200-06A8T
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 225A 675W E3
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：225A
4最大值功率(W)4：675W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-666
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI200-06A8T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI200-06A8T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI200-06A8T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI200-06A8T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： VS-GB300LH120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 500A INT-A-PAK
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1配置1：单路
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
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封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-667
包装：
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合作现货:0
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型号： VS-GB300NH120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 500A INT-A-PAK
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：500A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-668
包装：
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型号： APTGT150TA60PG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 225A 480W SP6P
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V
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外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG11-669
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150TA60PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT150TDU60PG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 225A 480W SP6P
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1配置1：三，双 - 共源
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合作现货:0
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型号： APTGT150DH170G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 250A 890W SP6
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2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：250A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-671
包装：
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合作现货:0
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型号： VS-GB400AH120U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 550A INT-A-PAK
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三，双 - 共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2841W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V
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型号： APTGF250A60D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 400A 1250W D3
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三，双 - 共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2841W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：1250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-673
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF250A60D3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF250A60D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF250A60D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGF300DA120D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三，双 - 共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2841W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：420A
4最大值功率(W)4：2100W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-674
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF300DA120D3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF300DA120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF300DA120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF300DA120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF300SK120D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三，双 - 共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2841W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：420A
4最大值功率(W)4：2100W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-675
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF300SK120D3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF300SK120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF300SK120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT300DA170D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 530A 1470W D3
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三，双 - 共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2841W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：530A
4最大值功率(W)4：1470W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-676
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT300DA170D3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300DA170D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300DA170D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300DA170D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT300SK170D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1700V 530A 1470W D3
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三，双 - 共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2841W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V
1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：530A
4最大值功率(W)4：1470W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-677
包装： -
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGL475DA120D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三，双 - 共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2841W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：610A
4最大值功率(W)4：2080W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-678
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGL475SK120D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三，双 - 共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2841W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：610A
4最大值功率(W)4：2080W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-679
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT200A120D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 300A 1040W D3
参数： 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:750µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:675W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1645W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三，双 - 共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2841W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:在售 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:610A *4最大值功率(W)*4:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1040W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：1040W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-680
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT200A120D3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT200A120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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