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*配置

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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*功率 - 最大值

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不同?vge，ic 时的?vce（on）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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*输入

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*ntc 热敏电阻

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： VS-GB400TH120U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 660A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：660A
4最大值功率(W)4：2660W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-721
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB400TH120U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB400TH120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB400TH120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB400TH120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT400TL65G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V SP6C
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：
封装：
料号：JTG11-722
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT400TL65G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT400TL65G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT400TL65G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT400TL65G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGT400A120D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：580A
4最大值功率(W)4：2100W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-723
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT400A120D3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT400A120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT400A120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT400A120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGLQ400A120T6G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 700A 1900W SP6
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：700A
4最大值功率(W)4：1900W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-724
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ400A120T6G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ400A120T6G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ400A120T6G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ400A120T6G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-GB100NH120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：833W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-725
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB100NH120N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB100NH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB100NH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB100NH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： VS-GB100LH120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：833W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-726
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB100LH120N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB100LH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB100LH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB100LH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-GB75YF120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 100A ECONO2 4PACK
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1配置1：-
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6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：ECONO2 4PACK
料号：JTG11-727
包装：
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型号： VS-GB75YF120UT
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 100A ECONO2 4PACK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
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2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ECONO2 4PACK
料号：JTG11-728
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB75YF120UT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-GB100TH120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-729
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB100TH120N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB100TH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-GB100TH120U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.45nF @ 20V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：1136W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-730
包装：
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型号： VS-GA200TH60S
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK
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品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 370A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.45nF @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:1042W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.07V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):100nA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V
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品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
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参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.45nF @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:1042W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.07V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):100nA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：420A
4最大值功率(W)4：1562W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-733
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB200NH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB200NH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： VS-GB150TH120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.45nF @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:1042W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.07V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):100nA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1008W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：1008W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-734
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB150TH120N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 620A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.45nF @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:1042W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.07V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):100nA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1008W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:620A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：620A
4最大值功率(W)4：2500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（5）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-735
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB300AH120N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB300AH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB300AH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB300AH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MWI225-17E9
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1700V 335A 1400W E+
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.45nF @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:1042W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.07V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):100nA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1008W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:620A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V
1配置1：Three Phase
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：335A
4最大值功率(W)4：1400W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E+
封装：E+
料号：JTG11-736
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI225-17E9' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI225-17E9' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI225-17E9' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI225-17E9' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-GB200TH120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.45nF @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:1042W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.07V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):100nA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1008W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:620A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：360A
4最大值功率(W)4：1136W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-737
包装：
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合作现货:0
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型号： VS-GB200TH120U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 330A INT-A-PAK
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1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：330A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-738
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB200TH120U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-GT400TH60N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.45nF @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:1042W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.07V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):100nA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1008W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:620A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:330A *4最大值功率(W)*4:1316W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.9nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：530A
4最大值功率(W)4：1600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 8）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-739
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： VS-GB400AH120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 650A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.77V @ 15V，100A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.96nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.45nF @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:1042W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.07V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):100nA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1008W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:620A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.9V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:22nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:360A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:330A *4最大值功率(W)*4:1316W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.9nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:530A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:650A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：650A
4最大值功率(W)4：2500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（5）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-740
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB400AH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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