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元器件型号：2486 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APT75GN120JDQ3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：124A
4最大值功率(W)4：379W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-61
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT75GN120JDQ3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GN120JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GN120JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GN120JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： APT100GN120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：153A
4最大值功率(W)4：446W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-62
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GN120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GN120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GN120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GN120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IXYN100N120C3
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：152A
4最大值功率(W)4：830W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-63
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXYN100N120C3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN100N120C3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN100N120C3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN100N120C3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT70GR120JD60
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：112A
4最大值功率(W)4：543W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4
封装：SOT-227
料号：JTG11-64
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT70GR120JD60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT70GR120JD60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT70GR120JD60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT70GR120JD60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APT85GR120JD60
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：116A
4最大值功率(W)4：543W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-65
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT85GR120JD60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT85GR120JD60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT85GR120JD60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT85GR120JD60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT80GP60J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：151A
4最大值功率(W)4：462W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-66
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT80GP60J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT80GP60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT80GP60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT80GP60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT100GT120JU3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：140A
4最大值功率(W)4：480W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：SOT-227
料号：JTG11-67
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT120JU3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JU3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JU3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JU3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MUBW10-06A7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 20A 85W E2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：20A
4最大值功率(W)4：85W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-68
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUBW10-06A7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW10-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW10-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUBW10-06A7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT50SK170T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：312W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-69
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50SK170T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50SK170T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50SK170T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50SK170T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF30H60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
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2集射极击穿-最大电压(V)：600V
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4最大值功率(W)4：140W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-70
包装：
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合作现货:0
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型号： VS-50MT060WHTAPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：114A
4最大值功率(W)4：658W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：12-MTP 模块
封装：MTP
料号：JTG11-71
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-50MT060WHTAPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT100TL60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-72
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT100TL60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT100TL60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT100TL60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT100TL60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT50DH120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP4
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：非对称桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：277W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-73
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50DH120TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50DH120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50DH120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50DH120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGF90H60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 120A 416W SP3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：120A
4最大值功率(W)4：416W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-74
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF90H60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90H60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90H60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF90H60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGL180A120T3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 230A 940W SP3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:230A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：230A
4最大值功率(W)4：940W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-75
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL180A120T3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL180A120T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL180A120T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： APTGT300DU60G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:230A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：双，共源
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：430A
4最大值功率(W)4：1150W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-76
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT300DU60G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300DU60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300DU60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300DU60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGF300U120DG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:230A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：1780W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-77
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF300U120DG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGF500U60D4G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 625A 2000W D4
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:230A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:625A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
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6ntc热敏电阻6：无
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包装：
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTGT600U120D4G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 900A 2500W D4
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:116A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:85W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:230A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:625A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:40nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：900A
4最大值功率(W)4：2500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D4
封装：D4
料号：JTG11-79
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT600U120D4G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600U120D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600U120D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT300A170G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:153A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:152A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:112A *4最大值功率(W)*4:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.26nF @ 25V *5输入*5:标准 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*5输入*5:三相桥式整流器 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:42A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:230A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:430A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:625A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:40nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1660W 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1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：1660W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-80
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300A170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300A170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT300A170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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