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不同?vge，ic 时的?vce（on）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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*输入

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： GA200SA60S
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 200A 630W SOT227B
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：630W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-781
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GA200SA60S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GA200SA60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GA200SA60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GA200SA60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 50MT060WH
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：114A
4最大值功率(W)4：658W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：12-MTP 模块
封装：12-MTP
料号：JTG11-782
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '50MT060WH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '50MT060WH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '50MT060WH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '50MT060WH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 50MT060ULS
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 100A 445W 10MTP
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：445W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：10-MTP
封装：10-MTP
料号：JTG11-783
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '50MT060ULS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '50MT060ULS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '50MT060ULS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '50MT060ULS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXGM40N60A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V 75A 250W TO204
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-204
料号：JTG11-784
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGM40N60A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGM40N60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGM40N60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGM40N60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： GB35XF120K
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 1200V 50A 284W
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：284W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ECONO2
封装：-
料号：JTG11-785
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GB35XF120K' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GB35XF120K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GB35XF120K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GB35XF120K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IXGN60N60
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227B
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-786
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN60N60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN60N60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN60N60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN60N60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FMG2G300LS60E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 300A 892W 7PMHA
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包装：
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型号： FMG2G400LS60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MOD 600V 400A 1136W 7PMIA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
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型号： FMG2G50US120
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 1200V 50A 320W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA
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3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
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封装：7PM-GA
料号：JTG11-789
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合作现货:0
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型号： FMG2G75US120
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 1200V 75A 445W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
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5输入5：标准
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外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
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包装：
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型号： HGT1N30N60A4D
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:255W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
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封装：SOT-227
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型号： HGT1N40N60A4D
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:255W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
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型号： FMS6G10US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:255W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
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5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
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封装：25PM-AA
料号：JTG11-793
包装：
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型号： FMS6G10US60S
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA
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6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
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参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:255W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V
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2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：10A
4最大值功率(W)4：66W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
封装：25PM-AA
料号：JTG11-795
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMS7G10US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:255W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
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4最大值功率(W)4：66W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
封装：25PM-AA
料号：JTG11-796
包装：
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合作现货:0
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型号： FMS6G15US60S
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 15A 73W 25PMAA
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1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：15A
4最大值功率(W)4：73W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
封装：25PM-AA
料号：JTG11-797
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMS6G15US60S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FMS7G15US60S
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 15A 73W 25PMAA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:255W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V
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2集射极击穿-最大电压(V)：600V
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4最大值功率(W)4：73W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
封装：25PM-AA
料号：JTG11-798
包装：
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型号： FMS6G15US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
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1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
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5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
封装：25PM-AA
料号：JTG11-799
包装：
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型号： FMS6G20US60S
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 20A 89W 25PMAA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:114A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.7nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.475nF @ 30V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:96A *4最大值功率(W)*4:255W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:10A *4最大值功率(W)*4:66W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.71nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：20A
4最大值功率(W)4：89W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
封装：25PM-AA
料号：JTG11-800
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMS6G20US60S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS6G20US60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS6G20US60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS6G20US60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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