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型号： FMG1G50US60L
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
料号：JTG11-801
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG1G50US60L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G50US60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G50US60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G50US60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMG1G50US60H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
料号：JTG11-802
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG1G50US60H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G50US60H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G50US60H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： FMS6G20US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 20A 89W 25PMAA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：20A
4最大值功率(W)4：89W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
封装：25PM-AA
料号：JTG11-803
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMS6G20US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS6G20US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS6G20US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： FMS7G20US60S
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 20A 89W 25PMAA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：20A
4最大值功率(W)4：89W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
封装：25PM-AA
料号：JTG11-804
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMS7G20US60S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS7G20US60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS7G20US60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS7G20US60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMS7G20US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 20A 89W 25PMAA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：20A
4最大值功率(W)4：89W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
封装：25PM-AA
料号：JTG11-805
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMS7G20US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： FMG2G50US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
料号：JTG11-806
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG2G50US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G50US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G50US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： FMG1G75US60L
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：310W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
料号：JTG11-807
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG1G75US60L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G75US60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G75US60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G75US60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMG1G75US60H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：310W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
料号：JTG11-808
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG1G75US60H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G75US60H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G75US60H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G75US60H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMG1G100US60L
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 100A 400W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：400W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
料号：JTG11-809
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG1G100US60L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G100US60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G100US60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G100US60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FMG1G100US60H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 100A 400W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：400W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
料号：JTG11-810
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG1G100US60H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G100US60H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G100US60H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG1G100US60H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMG2G75US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：310W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
料号：JTG11-811
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG2G75US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G75US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G75US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G75US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FMS7G15US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 15A 73W 25PMAA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：15A
4最大值功率(W)4：73W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：25PM-AA
封装：25PM-AA
料号：JTG11-812
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMS7G15US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS7G15US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS7G15US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMS7G15US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMG2G100US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 100A 400W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：400W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
料号：JTG11-813
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG2G100US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G100US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G100US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G100US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FMG2G200US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 200A 695W 7PMHA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：695W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-HA
封装：7PM-HA
料号：JTG11-814
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG2G200US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G200US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G200US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G200US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： FMG2G150US60E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 150A 500W 7PMGA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.84nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-GA
封装：7PM-GA
料号：JTG11-815
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG2G150US60E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G150US60E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G150US60E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G150US60E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMG2G150US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 150A 595W 7PMHA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：595W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-HA
封装：7PM-HA
料号：JTG11-816
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG2G150US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G150US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G150US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G150US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FMG2G300US60E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 300A 892W 7PMHA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：892W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-HA
封装：7PM-HA
料号：JTG11-817
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG2G300US60E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G300US60E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G300US60E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G300US60E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE 600V 300A 892W 7PMIA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：892W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-IA
封装：7PM-IA
料号：JTG11-818
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG2G300US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G300US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G300US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G300US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FMG2G400US60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MOD 600V 400A 1136W 7PMIA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：1136W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：7PM-IA
封装：7PM-IA
料号：JTG11-819
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG2G400US60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G400US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G400US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2G400US60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STG3P2M10N60B
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:89W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.277nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.056nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:73W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.935nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.84nF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:892W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:SEMITOP® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:19A *4最大值功率(W)*4:56W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，7A 电流-集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.72nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：19A
4最大值功率(W)4：56W
5输入5：单相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SEMITOP®2
封装：SEMITOP®2
料号：JTG11-820
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STG3P2M10N60B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STG3P2M10N60B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STG3P2M10N60B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STG3P2M10N60B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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