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状态： 在售
型号： STGE50NB60HD
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 600V 100A 300W ISOTOP
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：300W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP
料号：JTG11-821
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STGE50NB60HD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE50NB60HD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： APT200GN60JDQ4G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：283A
4最大值功率(W)4：682W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-822
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT200GN60JDQ4G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60JDQ4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60JDQ4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60JDQ4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APT200GN60JG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：283A
4最大值功率(W)4：682W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-823
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT200GN60JG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60JG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60JG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60JG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT40GF120JRDQ2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 77A 347W ISOTOP
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：77A
4最大值功率(W)4：347W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-824
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT40GF120JRDQ2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GF120JRDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GF120JRDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GF120JRDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT50GT120JRDQ2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 72A 379W ISOTOP
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：72A
4最大值功率(W)4：379W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-825
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT50GT120JRDQ2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT50GT120JRDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT50GT120JRDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT50GT120JRDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APT60GT60JR
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 93A 378W ISOTOP
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：93A
4最大值功率(W)4：378W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-826
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT60GT60JR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GT60JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GT60JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GT60JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT75GN120JDQ3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V
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外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
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包装：
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型号： APT75GN120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：124A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-828
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GN120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MII400-12E4
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：420A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：Y3-LI
封装：Y3-LI
料号：JTG11-829
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MII400-12E4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MII400-12E4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IXEN60N120
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V
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型号： IXEN60N120D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B
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1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-831
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
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封装：SOT-227B
料号：JTG11-832
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN50N60BD2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 75A 480W SOT227B
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：480W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-833
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN60N60C2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN60N60C2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN60N60C2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： IXGN60N60C2D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 75A 480W SOT227B
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：480W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-834
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN60N60C2D1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： IXGN80N60A2
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：160A
4最大值功率(W)4：625W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-835
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN80N60A2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN80N60A2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN80N60A2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： IXGN80N60A2D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：160A
4最大值功率(W)4：625W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-836
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN80N60A2D1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN80N60A2D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN80N60A2D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN80N60A2D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IXSN55N120A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650µA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 25V
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2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
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封装：SOT-227B
料号：JTG11-837
包装：
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合作现货:0
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型号： IXSN80N60BD1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 160A 420W SOT227B
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650µA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:420W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.6nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：160A
4最大值功率(W)4：420W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-838
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXSN80N60BD1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MDI400-12E4
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650µA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:420W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V
1配置1：单路
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6ntc热敏电阻6：无
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料号：JTG11-839
包装：
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型号： MID400-12E4
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
参数： 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:283A *4最大值功率(W)*4:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:77A *4最大值功率(W)*4:347W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.46nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:72A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:93A *4最大值功率(W)*4:378W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:124A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.8nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.75nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:25µA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650µA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:420W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.6nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：420A
4最大值功率(W)4：1700W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：Y3-LI
封装：Y3-LI
料号：JTG11-840
包装：
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