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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTGT20DDA60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V
1配置1：双路升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：32A
4最大值功率(W)4：62W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-961
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT20DDA60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20DDA60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20DDA60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20DDA60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT20DSK60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V
1配置1：双路降压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：32A
4最大值功率(W)4：62W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-962
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT20DSK60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20DSK60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20DSK60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20DSK60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT20H60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：32A
4最大值功率(W)4：62W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-963
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT20H60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20H60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20H60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20H60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT20X60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：32A
4最大值功率(W)4：62W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-964
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT20X60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20X60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20X60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT20X60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT25A120D1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：140W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D1
封装：D1
料号：JTG11-965
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT25A120D1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25A120D1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25A120D1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25A120D1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT25A120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：156W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-966
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT25A120T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25A120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25A120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25A120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： APTGT25DA120D1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1200V 40A 140W D1
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V
1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D1
封装：D1
料号：JTG11-967
包装： -
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合作现货:0
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型号： APTGT25H120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：156W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-968
包装： -
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25H120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGT25SK120D1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1200V 40A 140W D1
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V
1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：140W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D1
封装：D1
料号：JTG11-969
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT25SK120D1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25SK120D1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25SK120D1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT25SK120D1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGT30A170D1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V
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合作现货:0
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型号： APTGT30A60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
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型号： APTGT30DA170D1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1700V 45A 210W D1
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6ntc热敏电阻6：无
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封装：D1
料号：JTG11-972
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型号： APTGT30DDA60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V
1配置1：双路升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：90W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-973
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT30DDA60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT30DSK60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V
1配置1：双路降压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：90W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-974
包装： -
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型号： APTGT30H60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：90W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-975
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT30H60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT30SK170D1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1700V 45A 210W D1
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1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D1
封装：D1
料号：JTG11-976
包装： -
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型号： APTGT35A120D1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：55A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D1
封装：D1
料号：JTG11-977
包装： -
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT35DA120D1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1200V 55A 205W D1
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2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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6ntc热敏电阻6：无
外壳：D1
封装：D1
料号：JTG11-978
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状态： 在售
型号： APTGT35H120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
参数： 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:32A *4最大值功率(W)*4:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单一 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:过期 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：55A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
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料号：JTG11-979
包装： -
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状态： 在售
型号： APTGT35SK120D1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 1200V 55A 205W D1
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1配置1：单一
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
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外壳：D1
封装：D1
料号：JTG11-980
包装： -
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT35SK120D1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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