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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MG200Q2YS60A
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MOD 1200V 200A 2000W
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：2000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1041
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG200Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG200Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG200Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG200Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MG300Q2YS60A
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MOD 1200V 300A 2800W
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：2800W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1042
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG300Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG300Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG300Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG300Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MG400J2YS61A
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MOD 600V 400A 2160W
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：2160W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1043
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG400J2YS61A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG400J2YS61A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG400J2YS61A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG400J2YS61A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MG400Q2YS60A
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MOD 1200V 400A 3750W
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：3750W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1044
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG400Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG400Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG400Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG400Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MG600J2YS61A
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MOD 600V 600A 2770W
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：2770W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1045
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG600J2YS61A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG600J2YS61A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG600J2YS61A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG600J2YS61A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MG600Q2YS60A
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MOD 1200V 600A 4300W
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：4300W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1046
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG600Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG600Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG600Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG600Q2YS60A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： QIS4506002
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MODULE 4500V 60A
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：4500V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：60A
4最大值功率(W)4：60A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1047
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QIS4506002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QIS4506002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTCV60TLM99T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V
1配置1：三级反相器 - IGBT，FET
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：90W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-1048
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTCV60TLM99T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM99T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM99T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM99T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTCV90TL12T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V
1配置1：三级反相器 - IGBT，FET
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：280W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-1049
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTCV90TL12T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV90TL12T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV90TL12T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV90TL12T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IXGN100N120
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 160A SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：160A
4最大值功率(W)4：160A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1050
包装：
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型号： IXGN200N60
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V
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封装：SOT-227B
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型号： IXGN200N60A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V
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型号： IXGN40N60CD1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 600V SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:600V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600V
4最大值功率(W)4：600V
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1053
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： IXGN50N60B
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 75A 300W SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:600V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：300W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1054
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXGN50N60B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN50N60B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN50N60B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXGN50N60B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： IXSN35N100U1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:600V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1000V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:38A *4最大值功率(W)*4:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1000V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：38A
4最大值功率(W)4：205W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1055
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXSN35N100U1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： IXSN35N120AU1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 70A 300W SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:600V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1000V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:38A *4最大值功率(W)*4:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.9nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：70A
4最大值功率(W)4：300W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1056
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXSN35N120AU1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXSN35N120AU1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IXSN50N60BD2
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:600V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1000V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:38A *4最大值功率(W)*4:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.85nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1057
包装：
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合作现货:0
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型号： IXSN50N60BD3
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:600V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1000V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:38A *4最大值功率(W)*4:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.85nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.85nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1058
包装：
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： IXSN55N120AU1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:600V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1000V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:38A *4最大值功率(W)*4:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.85nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.85nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1059
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： IXSN62N60U1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 90A 250W SOT227B
参数： 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:85nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:3750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:31nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2770W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:125nF @ 10V 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:60A *4最大值功率(W)*4:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V 系列:停产 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:160A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:600V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.1nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1000V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:38A *4最大值功率(W)*4:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.5V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.9nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.85nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.85nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：90A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1060
包装：
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