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元器件型号：2486 件
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*配置

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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*功率 - 最大值

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不同?vge，ic 时的?vce（on）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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*输入

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*ntc 热敏电阻

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： IXSN80N60AU1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 600V 160A 500W SOT227B
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：160A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1061
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXSN80N60AU1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXSN80N60AU1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXSN80N60AU1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXSN80N60AU1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MIO1200-33E11
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 3300V 1200A E11
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA
1配置1：单开关
2集射极击穿-最大电压(V)：3300V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1200A
4最大值功率(W)4：1200A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E11
封装：E11
料号：JTG11-1062
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIO1200-33E11' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIO1200-33E11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIO1200-33E11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIO1200-33E11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MIO1500-25E10
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 2500V 1500A E10
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA
1配置1：单开关
2集射极击穿-最大电压(V)：2500V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1500A
4最大值功率(W)4：1500A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：E10
封装：E10
料号：JTG11-1063
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIO1500-25E10' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIO1500-25E10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIO1500-25E10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIO1500-25E10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MWI451-17E9
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE E9PACK
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：无
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1064
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWI451-17E9' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI451-17E9' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI451-17E9' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWI451-17E9' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STGE200N60K
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT N-CH 150A 600V ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-1065
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STGE200N60K' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE200N60K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE200N60K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE200N60K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CM1000E3U-34NF
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MOD 1700V 1000A 3900W
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1000A
4最大值功率(W)4：3900W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1066
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CM1000E3U-34NF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CM1000E3U-34NF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CM1000E3U-34NF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CM1000E3U-34NF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： PP600T120
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MOD POWR-PAC 3PH 600A 1200V
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：无
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1067
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PP600T120' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PP600T120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PP600T120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PP600T120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： QID4515001
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IGBT MOD 4500V 150A 1440W
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：4500V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：1440W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1068
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QID4515001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QID4515001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QID4515001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QID4515001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-CPV363M4KPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：11A
4最大值功率(W)4：36W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：19-SIP（13 引线），IMS-2
封装：IMS-2
料号：JTG11-1069
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-CPV363M4KPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV363M4KPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV363M4KPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-CPV363M4KPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTCV60TLM45T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V
1配置1：三级反相器 - IGBT，FET
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-1070
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTCV60TLM45T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM45T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM45T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM45T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： VS-EMF050J60U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 88A 338W EMIPAK2
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V
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2集射极击穿-最大电压(V)：600V
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6ntc热敏电阻6：无
外壳：EMIPAK2
封装：EMIPAK2
料号：JTG11-1071
包装：
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合作现货:0
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型号： VS-EMG050J60N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 88A 338W EMIPAK2
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：88A
4最大值功率(W)4：338W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：EMIPAK2
封装：EMIPAK2
料号：JTG11-1072
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-EMG050J60N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-EMG050J60N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-EMG050J60N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-EMG050J60N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-GA100NA60UP
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1073
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GA100NA60UP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GA100NA60UP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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型号： VS-GA100TS120UPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 182A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:182A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.67nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：182A
4最大值功率(W)4：520W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：JTG11-1074
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GA100TS120UPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： VS-GA100TS60SFPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:182A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.67nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.28V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：780W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：JTG11-1075
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GA100TS60SFPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-GA200HS60S1PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 480A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:182A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.67nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.28V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.21V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32.5nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：480A
4最大值功率(W)4：830W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：JTG11-1076
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GA200HS60S1PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GA200HS60S1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GA200HS60S1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： VS-GA200SA60SP
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 600V 781W SOT227
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:182A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.67nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.28V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.21V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:781W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600V
4最大值功率(W)4：781W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1077
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GA200SA60SP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GA200SA60SP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GA200SA60SP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GA200SA60SP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-GB100DA60UP
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 125A 447W SOT227
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:182A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.67nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.28V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.21V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:781W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：125A
4最大值功率(W)4：447W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1078
包装：
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合作现货:0
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型号： VS-GB100TP120U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:182A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.67nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.28V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.21V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:781W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：735W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：JTG11-1079
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB100TP120U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB100TP120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-GB50LA120UX
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 84A 431W SOT227
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:160A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):3300V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:1200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1200A 电流-集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:120mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):2500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1500A *4最大值功率(W)*4:1500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，1500A 电流-集电极截止(最大值):100mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100mA 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:过期 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1000A *4最大值功率(W)*4:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，1000A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:220nF @ 10V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:IGBTMOD™ 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):4500V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:1440W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:11A *4最大值功率(W)*4:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，6A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.74nF @ 30V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 - IGBT，FET *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:88A *4最大值功率(W)*4:338W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:182A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.67nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.28V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:830W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.21V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32.5nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600V *4最大值功率(W)*4:781W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：84A
4最大值功率(W)4：431W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1080
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB50LA120UX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB50LA120UX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB50LA120UX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB50LA120UX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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