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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： VS-GB50NA120UX
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 84A 431W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：84A
4最大值功率(W)4：431W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1081
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB50NA120UX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB50NA120UX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB50NA120UX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB50NA120UX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-GB70LA60UF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：111A
4最大值功率(W)4：447W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1082
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB70LA60UF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB70LA60UF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB70LA60UF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB70LA60UF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-GB70NA60UF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：111A
4最大值功率(W)4：447W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1083
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB70NA60UF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB70NA60UF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB70NA60UF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB70NA60UF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-GB75DA120UP
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1200V
4最大值功率(W)4：658W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1084
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB75DA120UP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB75DA120UP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB75DA120UP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB75DA120UP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-GB75LP120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 170A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：170A
4最大值功率(W)4：658W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：INT-A-PAK（3 + 4）
封装：INT-A-PAK
料号：JTG11-1085
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB75LP120N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB75LP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB75LP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB75LP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： VS-GB75SA120UP
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1200V
4最大值功率(W)4：658W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1086
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GB75SA120UP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB75SA120UP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB75SA120UP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB75SA120UP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-GT100DA120U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 258A 893W SOT227
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型号： VS-GT100DA60U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 184A 577W SOT227
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型号： VS-GT100LA120UX
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
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型号： VS-GT100NA120UX
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
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2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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封装：SOT-227
料号：JTG11-1090
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GT100NA120UX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT100NA120UX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT100NA120UX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT100NA120UX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： VS-GT100TP120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:258A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:184A *4最大值功率(W)*4:577W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:652W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.8nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：180A
4最大值功率(W)4：652W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：INT-A-PAK（3 + 4）
封装：INT-A-PAK
料号：JTG11-1091
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GT100TP120N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT100TP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT100TP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT100TP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-GT400TH120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 600A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:258A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:184A *4最大值功率(W)*4:577W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:652W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.8nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2119W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28.8nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：2119W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 8）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-1092
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GT400TH120N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT400TH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT400TH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT400TH120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： VS-GT400TH120U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 750A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:258A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:184A *4最大值功率(W)*4:577W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:652W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.8nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2119W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:2344W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51.2nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：750A
4最大值功率(W)4：2344W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：双 INT-A-PAK（3 + 8）
封装：双 INT-A-PAK
料号：JTG11-1093
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GT400TH120U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT400TH120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT400TH120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT400TH120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： VS-GT75NP120N
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:258A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:184A *4最大值功率(W)*4:577W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:652W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.8nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2119W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:2344W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51.2nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.08V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.45nF @ 30V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：446W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：INT-A-PAK（3 + 4）
封装：INT-A-PAK
料号：JTG11-1094
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GT75NP120N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT75NP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT75NP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT75NP120N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： IRGTI090U06
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD HALF BRIDGE 90A UFAST
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:258A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:184A *4最大值功率(W)*4:577W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:652W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.8nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2119W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:2344W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51.2nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.08V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.45nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.8nF @ 30V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：90A
4最大值功率(W)4：298W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：INT-A-PAK（3 + 4）
封装：INT-A-PAK
料号：JTG11-1095
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRGTI090U06' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRGTI090U06' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRGTI090U06' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRGTI090U06' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FS200R07A1E3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT 650V 250A 790W
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:258A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:184A *4最大值功率(W)*4:577W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:652W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.8nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2119W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:2344W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51.2nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.08V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.45nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.8nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:790W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：250A
4最大值功率(W)4：790W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1096
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS200R07A1E3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R07A1E3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R07A1E3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R07A1E3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FS400R07A1E3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT 650V 500A 1250W
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:258A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:184A *4最大值功率(W)*4:577W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:652W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.8nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2119W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:2344W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51.2nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.08V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.45nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.8nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:790W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：500A
4最大值功率(W)4：1250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1097
包装： -
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS400R07A1E3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS400R07A1E3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS400R07A1E3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IRG5K100HF12B
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:258A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:184A *4最大值功率(W)*4:577W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:652W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.8nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2119W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:2344W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51.2nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.08V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.45nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.8nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:790W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.7nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：780W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：POWIR® 62 模块
封装：POWIR® 62
料号：JTG11-1098
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRG5K100HF12B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRG5K100HF12B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRG5K100HH06E
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOD IGBT 600V 100A POWIR ECO 2
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:258A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:184A *4最大值功率(W)*4:577W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:652W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.8nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2119W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:2344W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51.2nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.08V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.45nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.8nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:790W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.7nF @ 25V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:405W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：170A
4最大值功率(W)4：405W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：POWIR ECO 2™ 模块
封装：POWIR ECO 2™
料号：JTG11-1099
包装： -
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： IRG5K150HF12B
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:84A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:50µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:111A *4最大值功率(W)*4:447W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.44V @ 15V，70A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.82V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:658W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.8V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:250µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:258A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:184A *4最大值功率(W)*4:577W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:134A *4最大值功率(W)*4:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:652W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.8nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2119W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:750A *4最大值功率(W)*4:2344W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51.2nF @ 30V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:446W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.08V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.45nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:90A *4最大值功率(W)*4:298W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，90A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.8nF @ 30V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:790W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.7nF @ 25V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:405W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:过期 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1060W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：1060W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：POWIR® 62 模块
封装：POWIR® 62
料号：JTG11-1100
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRG5K150HF12B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRG5K150HF12B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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