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*功率 - 最大值

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不同?vge，ic 时的?vce（on）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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状态： 在售
型号： FS75R12KT4B15BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 75A 385W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：385W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1141
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS75R12KT4B15BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS75R12KT4B15BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS75R12KT4B15BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS75R12KT4B15BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF200R12KT3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 1050W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1200V
4最大值功率(W)4：1050W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1142
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF200R12KT3HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R12KT3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R12KT3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R12KT3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF300R12KE4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 460A 1600W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：460A
4最大值功率(W)4：1600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1143
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF300R12KE4HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R12KE4HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R12KE4HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R12KE4HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FF200R17KE3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 310A 1250W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：310A
4最大值功率(W)4：1250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1144
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF200R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FZ600R12KE3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 900A 2800W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：900A
4最大值功率(W)4：2800W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1145
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FZ600R12KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ600R12KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ600R12KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ600R12KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FS150R06KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 600V 150A 430W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：430W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1146
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS150R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： FP75R12KT4B11BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 75A 385W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V
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3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：385W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1147
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP75R12KT4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 105A 355W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V
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封装：模块
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包装：
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型号： FS100R12KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 140A 480W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V
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2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1149
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS100R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FZ800R12KE3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 800A 3550W
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型号： FZ900R12KE4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 900A 4300W
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5输入5：标准
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 520A 2400W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:800A *4最大值功率(W)*4:3550W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，800A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
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6ntc热敏电阻6：无
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封装：模块
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包装：
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型号： FZ600R17KE4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 1200A 3350W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:800A *4最大值功率(W)*4:3550W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，800A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1200A
4最大值功率(W)4：3350W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1153
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FZ600R17KE4HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： FZ600R17KE3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 840A 3150W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:800A *4最大值功率(W)*4:3550W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，800A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:840A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：840A
4最大值功率(W)4：3150W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1154
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FZ600R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ600R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ600R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FZ600R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FS150R12KT4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 150A 750W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:800A *4最大值功率(W)*4:3550W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，800A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:840A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：750W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1155
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS150R12KT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FF600R12KE4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 600A
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1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1156
包装：
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状态： 在售
型号： FS150R12KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 200A 700W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:800A *4最大值功率(W)*4:3550W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，800A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:840A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：700W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1157
包装：
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合作现货:0
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型号： FF400R17KE4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 400A
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1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：400A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1158
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FF600R12ME4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 4050W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:42nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:800A *4最大值功率(W)*4:3550W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，800A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:4300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:56nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:840A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:400A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:36nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:4050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
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封装：模块
料号：JTG11-1159
包装：
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合作现货:0
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型号： FF600R12ME4CBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 1060A 4050W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:310A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 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2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
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封装：模块
料号：JTG11-1160
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12ME4CBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12ME4CBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12ME4CBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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