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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FS100R12KT4GBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 100A 515W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：515W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1301
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS100R12KT4GBOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R12KT4GBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R12KT4GBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R12KT4GBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FP75R12KT3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 105A 355W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：105A
4最大值功率(W)4：355W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1302
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP75R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP75R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP75R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP75R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FD300R17KE4PHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 300A AG62MM-1
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA
1配置1：单斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：300A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：AG-62MM-1
料号：JTG11-1303
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FD300R17KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FD300R17KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FD300R17KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FD300R17KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS100R12KT3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 140A 480W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：140A
4最大值功率(W)4：480W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1304
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS100R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FS200R06KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 600V 200A 600W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1305
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS200R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FF400R12KE3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 580A 2000W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：580A
4最大值功率(W)4：2000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1306
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF400R12KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF400R12KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF400R12KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： FF400R12KT3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 580A 2000W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
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6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1307
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF400R12KT3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF400R12KT3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF400R12KT3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF450R12KT4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 580A 2400W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
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封装：模块
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包装：
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型号： FF450R12KE4EHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 520A 2400W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1309
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF450R12KE4EHOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： FF300R17KE4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 440A 1800W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:440A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1310
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17KE4HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： GSID600A120S4B1
品牌： SemiQ
描述： IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:440A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1130A *4最大值功率(W)*4:3060W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1311
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSID600A120S4B1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SemiQ' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSID600A120S4B1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2ED300C17SROHSBPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 30A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:440A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1130A *4最大值功率(W)*4:3060W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1700V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1312
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2ED300C17SROHSBPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED300C17SROHSBPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF600R07ME4BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： GBT MODULE 650V 600A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:440A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1130A *4最大值功率(W)*4:3060W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：AG-ECONOD-4
料号：JTG11-1313
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF600R07ME4BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FS200R07PE4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 200A 600W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:440A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1130A *4最大值功率(W)*4:3060W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1314
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS200R07PE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R07PE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R07PE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： FF600R07ME4B11BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 700A 1800W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:440A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1130A *4最大值功率(W)*4:3060W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：700A
4最大值功率(W)4：1800W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1315
包装：
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合作现货:0
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型号： FS100R17N3E4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 100A 600W
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1316
包装：
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： FS200R07N3E4RBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 200A 600W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:440A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1130A *4最大值功率(W)*4:3060W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1317
包装：
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合作现货:0
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型号： FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE LOW POWER EASY
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:440A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1130A *4最大值功率(W)*4:3060W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):950V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):31µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.48nF @ 25V
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：950V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：70A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：AG-EASY3B
料号：JTG11-1318
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS3L200R10W3S7FB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS3L200R10W3S7FB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FP100R12KT4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 100A 515W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:580A *4最大值功率(W)*4:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:520A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:440A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1130A *4最大值功率(W)*4:3060W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):950V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):31µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：515W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1319
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FF300R17KE3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 1450W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 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Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):950V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):31µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 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1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1700V
4最大值功率(W)4：1450W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1320
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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