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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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*功率 - 最大值

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不同?vge，ic 时的?vce（on）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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*输入

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*ntc 热敏电阻

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FF450R12ME4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 675A 2250W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：675A
4最大值功率(W)4：2250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1321
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF450R12ME4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12ME4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12ME4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12ME4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF450R12ME4B11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 675A 2250W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：675A
4最大值功率(W)4：2250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1322
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF450R12ME4B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12ME4B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12ME4B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12ME4B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FS150R12PT4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 200A 680W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：680W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1323
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS150R12PT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R12PT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R12PT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R12PT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BSM50GP120BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 50A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1324
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM50GP120BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM50GP120BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM50GP120BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM50GP120BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2ED300C17STROHSBPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 30A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1700V
4最大值功率(W)4：1700V
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1325
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2ED300C17STROHSBPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED300C17STROHSBPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED300C17STROHSBPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED300C17STROHSBPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FS150R12KT4B11BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 150A 750W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：750W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1326
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS150R12KT4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R12KT4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R12KT4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R12KT4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： F3L300R07PE4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 300A 940W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：940W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1327
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F3L300R07PE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L300R07PE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IFF450B12ME4PB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 450A 40W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：450A
4最大值功率(W)4：40W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1328
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IFF450B12ME4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IFF450B12ME4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IFF450B12ME4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IFF450B12ME4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS150R12KT3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 200A 700W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：700W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1329
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS150R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： FF600R12KE4EBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 600A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V
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外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1330
包装：
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合作现货:0
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型号： FF600R12KE4PBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：600A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：AG-62MM-1
料号：JTG11-1331
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12KE4PBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS150R12KT4B9BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 150A 750W
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1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1332
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS150R12KT4B9BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS200R12KT4RBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 280A 1000W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：280A
4最大值功率(W)4：1000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1333
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS200R12KT4RBOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FF450R12ME4EB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOD IGBT MED PWR ECONOD-4
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1334
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF450R12ME4EB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FS200R12PT4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 280A 1000W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：280A
4最大值功率(W)4：1000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1335
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS200R12PT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R12PT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R12PT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： FF600R12ME4B72BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 1200A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1200A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1336
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF600R12ME4B72BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12ME4B72BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12ME4B72BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12ME4B72BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FF600R12ME4B73BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 1200A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1200A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1337
包装：
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合作现货:0
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型号： F4150R12KS4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 180A 960W
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1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：180A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1338
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型号： FF500R17KE4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 500A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:180A *4最大值功率(W)*4:960W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:500A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，500A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:45nF @ 25V
1配置1：半桥逆变器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：500A
4最大值功率(W)4：500A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1339
包装：
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合作现货:0
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型号： FP150R12KT4BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 150A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:675A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 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时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:38nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 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制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:150A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：150A
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1340
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP150R12KT4BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP150R12KT4BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP150R12KT4BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP150R12KT4BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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