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状态： 在售
型号： IFF600B12ME4PB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 600A 40W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：40W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1341
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IFF600B12ME4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IFF600B12ME4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FF600R12ME4AB11BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 3350W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1200V
4最大值功率(W)4：3350W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1342
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF600R12ME4AB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12ME4AB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12ME4AB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12ME4AB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF600R17ME4B11BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE VCES 1700V 600A
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1700V
4最大值功率(W)4：1700V
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1343
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF600R17ME4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R17ME4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R17ME4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R17ME4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF600R17ME4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE VCES 1700V 600A
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1700V
4最大值功率(W)4：1700V
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1344
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF600R17ME4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R17ME4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R17ME4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R17ME4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FS225R12OE4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 350A 1250W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：350A
4最大值功率(W)4：1250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1345
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS225R12OE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS225R12OE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS225R12OE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS225R12OE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： GSID300A125S5C1
品牌： SemiQ
描述： IGBT MOD 1250V 600A 2500W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1250V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1250V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：2500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1346
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSID300A125S5C1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SemiQ' ) LIMIT 1 自营现货:0
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描述： IGBT MOD 1200V 460A 1650W
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 600A 3350W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1250V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
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6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1349
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF600R12IP4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12IP4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF600R12IP4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 350A 1450W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1250V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:600pF @ 25V
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2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
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外壳：模块
封装：模块
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包装：
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合作现货:0
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型号： FS650R08A4P2BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： HYBRID PACK 1
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1250V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:600pF @ 25V 系列:HybridPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):750V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:375A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，375A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:65nF @ 50V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：750V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：375A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：AG-HYBDC6I-1
料号：JTG11-1351
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS650R08A4P2BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FS300R12OE4B81BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MEDIUM POWER ECONO
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1250V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:600pF @ 25V 系列:HybridPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):750V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:375A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，375A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:65nF @ 50V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：AG-ECONOPP
料号：JTG11-1352
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS300R12OE4B81BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS300R12OE4B81BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS300R12OE4B81BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： FF650R17IE4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 4150W
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1配置1：2 个独立式
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包装：
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型号： FS450R12OE4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 660A 2250W
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 450A 1850W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1250V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:600pF @ 25V 系列:HybridPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):750V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:375A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，375A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:65nF @ 50V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:4150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，650A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1850W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：450A
4最大值功率(W)4：1850W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1355
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS300R17OE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS300R17OE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS300R17OE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： FF900R12IE4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 900A 5100W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1250V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:600pF @ 25V 系列:HybridPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):750V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:375A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，375A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:65nF @ 50V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:4150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，650A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1850W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:5100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：900A
4最大值功率(W)4：5100W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1356
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF900R12IE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF900R12IE4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FF900R12IP4BOSA2
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 900A 5100W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1250V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:600pF @ 25V 系列:HybridPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):750V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:375A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，375A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:65nF @ 50V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:4150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，650A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1850W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:5100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:5100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：900A
4最大值功率(W)4：5100W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1357
包装：
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合作现货:0
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型号： FS820R08A6P2BBPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE PACK DRV HYBRIDD-1
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1250V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:30.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:460A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:350A *4最大值功率(W)*4:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:600pF @ 25V 系列:HybridPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):750V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:375A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.35V @ 15V，375A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:65nF @ 50V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:4150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，650A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1850W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:5100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:5100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
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5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
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封装：-
料号：JTG11-1358
包装：
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合作现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FS450R12KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 600A 2100W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 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制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:4150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，650A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1850W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 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1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：2100W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1359
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS450R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FS450R12OE4B81BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MEDIUM POWER ECONO
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:40W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:3350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:48nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:1700V 不同?vge，ic 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制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1700V *4最大值功率(W)*4:4150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，650A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:660A *4最大值功率(W)*4:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:EconoPACK™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1850W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:5100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:PrimePack™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:900A *4最大值功率(W)*4:5100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，900A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2100W 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1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：450A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：AG-ECONOPP
料号：JTG11-1360
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS450R12OE4B81BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS450R12OE4B81BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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