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元器件型号：2486 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APT100GLQ65JU2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V
1配置1：升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：165A
4最大值功率(W)4：430W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-1401
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GLQ65JU2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GLQ65JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GLQ65JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GLQ65JU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT40GP60J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 600V 86A 284W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：86A
4最大值功率(W)4：284W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-1402
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT40GP60J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GP60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GP60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GP60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT65GP60JDQ2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 600V 130A 431W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：130A
4最大值功率(W)4：431W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-1403
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT65GP60JDQ2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT65GP60JDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT65GP60JDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT65GP60JDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT40GLQ120JCU2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 80A 312W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：312W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1404
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT40GLQ120JCU2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GLQ120JCU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GLQ120JCU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT40GLQ120JCU2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT80GP60JDQ3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 600V 151A 462W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：151A
4最大值功率(W)4：462W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-1405
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT80GP60JDQ3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT80GP60JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT80GP60JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT80GP60JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT200GT60JR
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 600V 195A 500W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：195A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1406
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT200GT60JR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GT60JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GT60JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GT60JR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT60GT60JRDQ3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT 600V 105A 379W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：105A
4最大值功率(W)4：379W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-1407
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT60GT60JRDQ3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GT60JRDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GT60JRDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GT60JRDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： IXYN140N120A4
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT 140A 1200V SOT227B MINIBLOC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：380A
4最大值功率(W)4：1070W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1408
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXYN140N120A4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN140N120A4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN140N120A4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN140N120A4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT50DH60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V
1配置1：非对称桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：176W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-1409
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50DH60T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50DH60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50DH60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50DH60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGTQ100DA65T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V
1配置1：升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
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4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP1
料号：JTG11-1410
包装：
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合作现货:0
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型号： APTGTQ100SK65T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V
1配置1：降压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP1
料号：JTG11-1411
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGTQ100SK65T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ100SK65T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ100SK65T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ100SK65T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGLQ100DA120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 170A 520W SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V
1配置1：升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：170A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP1
料号：JTG11-1412
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ100DA120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ100DA120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ100DA120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MIXG240RF1200PTED
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE - BRAKE E2-PACK-PFP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA
1配置1：单斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：335A
4最大值功率(W)4：1250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-1413
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXG240RF1200PTED' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG240RF1200PTED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG240RF1200PTED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG240RF1200PTED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGLQ30H65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 40A 95W
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:95W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.9nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：95W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1414
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ30H65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ30H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ30H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ30H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGLQ25H120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 50A 165W SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:95W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:165W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.43nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：165W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP1
料号：JTG11-1415
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ25H120T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ25H120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ25H120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ25H120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGLQ50DDA65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 70A 175W
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:95W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:165W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.43nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V
1配置1：双路升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：70A
4最大值功率(W)4：175W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1416
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ50DDA65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50DDA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50DDA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50DDA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGLQ50VDA65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 70A 175W SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:95W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:165W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.43nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V
1配置1：双路升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：70A
4最大值功率(W)4：175W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1417
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ50VDA65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50VDA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50VDA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGTQ100A65T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:95W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:165W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.43nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP1
料号：JTG11-1418
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGTQ100A65T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGLQ50H65T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 70A 175W SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:335A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:95W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:165W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.43nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：70A
4最大值功率(W)4：175W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP1
料号：JTG11-1419
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ50H65T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50H65T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50H65T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGLQ40H120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 75A 250W SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:165A *4最大值功率(W)*4:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:86A *4最大值功率(W)*4:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:151A *4最大值功率(W)*4:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V 系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:195A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止(最大值):330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:1070W 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*2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-1420
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ40H120T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ40H120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ40H120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ40H120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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