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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTGT50TL60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：176W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-1421
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50TL60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50TL60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50TL60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50TL60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGLQ50H65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 70A 175W SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：70A
4最大值功率(W)4：175W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1422
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ50H65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGLQ75H65T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 150A 250W SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-1423
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ75H65T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ75H65T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ75H65T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ75H65T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGLQ50TL65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 70A 175W SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：70A
4最大值功率(W)4：175W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1424
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ50TL65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50TL65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50TL65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ50TL65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGLQ40HR120CT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 75A 250W SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V
1配置1：沟槽型场截止
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-1425
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ40HR120CT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ40HR120CT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ40HR120CT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ40HR120CT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGT75DH120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V
1配置1：非对称桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：110A
4最大值功率(W)4：357W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-1426
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT75DH120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75DH120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75DH120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT75DH120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTCV60TLM70T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：176W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3
料号：JTG11-1427
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTCV60TLM70T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM70T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM70T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM70T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGTQ100DDA65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 100A 250W SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V
1配置1：双路升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1428
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGTQ100DDA65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ100DDA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ100DDA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ100DDA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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状态： 在售
型号： APTGTQ200DA65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 200A 483W SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V
1配置1：升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：483W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1429
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGTQ200DA65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ200DA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ200DA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ200DA65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGTQ200SK65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 200A 483W SP3F
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外壳：模块
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包装：
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合作现货:0
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型号： APTGTQ50TA65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 50A 125W SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3nF @ 25V
1配置1：三相反相器
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3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1431
包装：
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型号： APTGLQ40DDA120CT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 75A 250W SP6
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1配置1：双路升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-1432
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ40DDA120CT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ40DDA120CT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ40DDA120CT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： MIXA60WH1200TEH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE 1200V 85A 290W E3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：85A
4最大值功率(W)4：290W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-1433
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXA60WH1200TEH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA60WH1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA60WH1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXA60WH1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGLQ100H65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 135A 350W SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：135A
4最大值功率(W)4：350W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1434
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ100H65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ100H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ100H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ100H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MITA300RF1700PTED
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE - OTHERS E2-PACK-PFP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1.39kW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.2mA
1配置1：单斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：1.39kW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E2
封装：E2
料号：JTG11-1435
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MITA300RF1700PTED' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MITA300RF1700PTED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MITA300RF1700PTED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MITA300RF1700PTED' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGTQ100H65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 100A 250W SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1.39kW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1436
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGTQ100H65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ100H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ100H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ100H65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGTQ200A65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 200A 483W SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1.39kW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：483W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1437
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGTQ200A65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGLQ100A120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 170A 520W SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1.39kW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：170A
4最大值功率(W)4：520W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP4
料号：JTG11-1438
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ100A120TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGLQ75H120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 130A 385W SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:非对称桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:110A *4最大值功率(W)*4:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:85A *4最大值功率(W)*4:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:135A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1.39kW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:170A *4最大值功率(W)*4:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：130A
4最大值功率(W)4：385W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-1439
包装：
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合作现货:0
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型号： MSCGL40X120T3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-IGBT-TFS-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 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1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：40A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1440
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCGL40X120T3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCGL40X120T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCGL40X120T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCGL40X120T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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