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电压 - 集射极击穿（最大值）

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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*功率 - 最大值

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不同?vge，ic 时的?vce（on）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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*输入

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*ntc 热敏电阻

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MSCGTQ100HD65C1AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-IGBT-TFS-SBD~-SP1F
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：80A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：SP1
料号：JTG11-1441
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCGTQ100HD65C1AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCGTQ100HD65C1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCGTQ100HD65C1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCGTQ100HD65C1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MIXG120W1200TEH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE - SIXPACK E3-PACK-PF
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：186A
4最大值功率(W)4：625W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-1442
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXG120W1200TEH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG120W1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG120W1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG120W1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGLQ80HR120CT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 150A 500W SP3
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V
1配置1：沟槽型场截止
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-1443
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ80HR120CT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ80HR120CT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ80HR120CT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ80HR120CT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGLQ200A120T3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 400A 1250W SP3F
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：1250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG11-1444
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ200A120T3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ200A120T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ200A120T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ200A120T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTCV60TLM24T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP3
料号：JTG11-1445
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTCV60TLM24T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTCV60TLM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGLQ150A120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 250A 750W SP4
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：250A
4最大值功率(W)4：750W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP4
料号：JTG11-1446
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ150A120TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ150A120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ150A120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ150A120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGLQ75H120TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 130A 385W SP4
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：130A
4最大值功率(W)4：385W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP4
料号：JTG11-1447
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ75H120TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MIXG180W1200TEH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE - SIXPACK E3-PACK-PF
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1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：280A
4最大值功率(W)4：935W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-1448
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG180W1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MIXG240W1200PTEH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE - SIXPACK E3-PACK-PF
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @
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2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：312A
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6ntc热敏电阻6：是
外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-1449
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG240W1200PTEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MIXG240W1200TEH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE - SIXPACK E3-PACK-PF
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @
1配置1：三相反相器
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外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-1450
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXG240W1200TEH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG240W1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG240W1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG240W1200TEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MIXG240W1200PZTEH
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MODULE - SIXPACK E3-PACK-PF
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：312A
4最大值功率(W)4：938W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：E3
封装：E3
料号：JTG11-1451
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIXG240W1200PZTEH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG240W1200PZTEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG240W1200PZTEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIXG240W1200PZTEH' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGLQ300SK120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 500A 1500W SP6
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V
1配置1：降压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：500A
4最大值功率(W)4：1500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：SP6
料号：JTG11-1452
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ300SK120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ300SK120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ300SK120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ300SK120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGLQ200H65G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 270A 680W SP6
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):75µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.2nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：270A
4最大值功率(W)4：680W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：SP6
料号：JTG11-1453
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ200H65G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ200H65G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ200H65G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGLQ300A120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 500A 1500W SP6
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):75µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：500A
4最大值功率(W)4：1500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：SP6
料号：JTG11-1454
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ300A120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ300A120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ300A120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGLQ150H120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 250A 750W SP6
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):75µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：250A
4最大值功率(W)4：750W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：SP6
料号：JTG11-1455
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ150H120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ150H120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ150H120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ150H120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGTQ150TA65TPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 150A 365W SP6P
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):75µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:365W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：365W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：SP6-P
料号：JTG11-1456
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGTQ150TA65TPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ150TA65TPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ150TA65TPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGTQ150TA65TPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGL700DA120D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 840A 3000W D3
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):75µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:365W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:840A *4最大值功率(W)*4:3000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37.2nF @ 25V
1配置1：单路
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封装：D3
料号：JTG11-1457
包装：
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合作现货:0
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型号： APTGL700SK120D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
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2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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外壳：模块
封装：D3
料号：JTG11-1458
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型号： APTGLQ300H65G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 600A 1000W SP6
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:312A *4最大值功率(W)*4:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:降压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):75µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:365W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:840A *4最大值功率(W)*4:3000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:840A *4最大值功率(W)*4:3000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.3nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：1000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-1459
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGLQ600A65T6G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 650V 1200A 2000W SP6
参数： 系列:MSC 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:186A *4最大值功率(W)*4:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:沟槽型场截止 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 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制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:270A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):75µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:250A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:365W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:840A *4最大值功率(W)*4:3000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:840A *4最大值功率(W)*4:3000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:2000W 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1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1200A
4最大值功率(W)4：2000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-1460
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGLQ600A65T6G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGLQ600A65T6G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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