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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTGT100TL170G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：560W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：SP6
料号：JTG11-1461
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT100TL170G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT100TL170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT100TL170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT100TL170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： VS-GT80DA60U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 123A 454W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V
1配置1：单开关
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：123A
4最大值功率(W)4：454W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1462
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GT80DA60U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT80DA60U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT80DA60U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT80DA60U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-GT180DA120U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：281A
4最大值功率(W)4：1087W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-1463
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GT180DA120U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT180DA120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT180DA120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GT180DA120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-ETY020P120F
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD OUTPUT & SW EMIPAK 2B
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1464
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-ETY020P120F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-ETY020P120F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-ETY020P120F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-ETY020P120F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： A1P25S12M3
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：25A
4最大值功率(W)4：197W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ACEPACK™ 1
料号：JTG11-1465
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A1P25S12M3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1P25S12M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1P25S12M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1P25S12M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： A1C15S12M3
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：15A
4最大值功率(W)4：142.8W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ACEPACK™ 1
料号：JTG11-1466
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A1C15S12M3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1C15S12M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1C15S12M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1C15S12M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： A1P50S65M2
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ACEPACK™ 1
料号：JTG11-1467
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A1P50S65M2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1P50S65M2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1P50S65M2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1P50S65M2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： A1P50S65M2-F
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ACEPACK™ 1
料号：JTG11-1468
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A1P50S65M2-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1P50S65M2-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1P50S65M2-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A1P50S65M2-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NXH35C120L2C2S1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：35A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：26-PowerDIP 模块(47,20mm)
封装：26-DIP
料号：JTG11-1469
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NXH35C120L2C2S1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH35C120L2C2S1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH35C120L2C2S1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH35C120L2C2S1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NXH25C120L2C2SG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
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5输入5：三相桥式整流器
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料号：JTG11-1470
包装：
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型号： NXH35C120L2C2SG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：35A
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5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：26-PowerDIP 模块(47,20mm)
封装：26-DIP
料号：JTG11-1471
包装：
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型号： A2C25S12M3
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：25A
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5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ACEPACK™ 2
料号：JTG11-1472
包装：
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型号： A2C35S12M3
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：35A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ACEPACK™ 2
料号：JTG11-1473
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A2C35S12M3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A2C35S12M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A2C35S12M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： A2C25S12M3-F
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：25A
4最大值功率(W)4：197W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ACEPACK™ 2
料号：JTG11-1474
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A2C25S12M3-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A2C25S12M3-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A2C25S12M3-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A2C25S12M3-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： NXH35C120L2C2ESG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.333nF @ 20V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：35A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：26-PowerDIP 模块(47,20mm)
封装：26-DIP
料号：JTG11-1475
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： A2C35S12M3-F
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.333nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：35A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ACEPACK™ 2
料号：JTG11-1476
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A2C35S12M3-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： A2C50S65M2
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.333nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ACEPACK™ 2
料号：JTG11-1477
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A2C50S65M2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： A2C50S65M2-F
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.333nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：208W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：ACEPACK™ 2
料号：JTG11-1478
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A2C50S65M2-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NXH50C120L2C2ES1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.333nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.89nF @ 20V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：26-PowerDIP 模块(47,20mm)
封装：26-DIP
料号：JTG11-1479
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NXH50C120L2C2ES1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NXH50C120L2C2ESG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:123A *4最大值功率(W)*4:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V 系列:HEXFRED® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:281A *4最大值功率(W)*4:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:15A *4最大值功率(W)*4:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.333nF @ 20V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.89nF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器，带制动器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.897nF @ 20V
1配置1：三相反相器，带制动器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：26-PowerDIP 模块(47,20mm)
封装：26-DIP
料号：JTG11-1480
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH50C120L2C2ESG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH50C120L2C2ESG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH50C120L2C2ESG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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