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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MG1275H-XN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MOD 1200V 105A 348W
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：105A
4最大值功率(W)4：348W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-141
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG1275H-XN2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1275H-XN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1275H-XN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG1275H-XN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MG12225WB-BN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 325A 1050W WB
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：325A
4最大值功率(W)4：1050W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：WB
料号：JTG11-142
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG12225WB-BN2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12225WB-BN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12225WB-BN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12225WB-BN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT150DU120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：双，共源
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：220A
4最大值功率(W)4：690W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-143
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT150DU120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150DU120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150DU120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT150DU120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MG06400D-BN4MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 600V 400A 1250W D3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：500A
4最大值功率(W)4：1250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-144
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG06400D-BN4MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG06400D-BN4MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG06400D-BN4MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG06400D-BN4MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MG06600WB-BN4MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MOD 600V 600A 1500W
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：700A
4最大值功率(W)4：1500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-145
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG06600WB-BN4MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG06600WB-BN4MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG06600WB-BN4MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG06600WB-BN4MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MG12300WB-BN2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 500A 1400W WB
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：500A
4最大值功率(W)4：1400W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：WB
料号：JTG11-146
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG12300WB-BN2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG12300WB-BN2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGL120TA120TPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 140A 517W SP6P
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：Three Phase
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：140A
4最大值功率(W)4：517W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG11-147
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL120TA120TPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL120TA120TPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL120TA120TPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL120TA120TPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGL240TL120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 305A 1000W SP6
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：305A
4最大值功率(W)4：1000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-148
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL240TL120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL240TL120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL240TL120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL240TL120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： IXDN55N120D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：450W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-149
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN55N120D1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN55N120D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN55N120D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN55N120D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT100GF60JU2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 600V 120A 416W SOT227
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
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4最大值功率(W)4：416W
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6ntc热敏电阻6：是
外壳：ISOTOP
封装：SOT-227
料号：JTG11-150
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT50A120T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP1
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：277W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG11-151
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50A120T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT50GF120JRDQ3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOP
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:521W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：120A
4最大值功率(W)4：521W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-152
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT50GF120JRDQ3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： APTGT100A170TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:521W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
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外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-153
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT100A170TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTGT600SK60G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:521W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：700A
4最大值功率(W)4：2300W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-154
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT600SK60G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600SK60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600SK60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600SK60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT400A60D3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 500A 1250W D3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:521W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：500A
4最大值功率(W)4：1250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-155
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT400A60D3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT400A60D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT400A60D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTGL60DDA120T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:521W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：双路升压斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：80A
4最大值功率(W)4：280W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-156
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL60DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL60DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL60DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL60DDA120T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGT200A60T3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MODULE 600V 290A 750W SP3
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:521W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:290A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
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4最大值功率(W)4：750W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-157
包装：
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合作现货:0
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型号： VS-GP250SA60S
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 380A 893W SOT227
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:521W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:290A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT，沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：380A
4最大值功率(W)4：893W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：JTG11-158
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GP250SA60S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GP250SA60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT45GP120JDQ2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:521W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.32nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双路升压斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:80A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:290A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT，沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:329W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，45A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：329W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-159
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT45GP120JDQ2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT45GP120JDQ2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-GB90SA120U
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227
参数： 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:348W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，225A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:双，共源 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:220A *4最大值功率(W)*4:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，400A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:700A *4最大值功率(W)*4:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，600A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:39nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:500A *4最大值功率(W)*4:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，300A（标准） 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:Three Phase *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:140A *4最大值功率(W)*4:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:305A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，55A 电流-集电极截止(最大值):3.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:120A *4最大值功率(W)*4:521W 不同?vge，ic 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*4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:290A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:是 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT，沟道 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:380A *4最大值功率(W)*4:893W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:PT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:329W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，45A 电流-集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4nF @ 25V *5输入*5:标准 *6ntc热敏电阻*6:无 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:149A 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1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：149A
4最大值功率(W)4：862W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：SOT-227-4
封装：SOT-227
料号：JTG11-160
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB90SA120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB90SA120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GB90SA120U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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