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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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*输入

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BSM25GP120BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 45A 230W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：45A
4最大值功率(W)4：230W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1621
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM25GP120BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM25GP120BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM25GP120BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM25GP120BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FS50R17KE3B17BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 82A 345W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：82A
4最大值功率(W)4：345W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1622
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS50R17KE3B17BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R17KE3B17BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R17KE3B17BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R17KE3B17BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FP50R12KT4GB15BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 50A 280W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：280W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1623
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP50R12KT4GB15BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP50R12KT4GB15BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP50R12KT4GB15BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP50R12KT4GB15BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DDB6U180N16RRB37BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1624
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDB6U180N16RRB37BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDB6U180N16RRB37BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDB6U180N16RRB37BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDB6U180N16RRB37BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FF200R12KE4PHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 200A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：200A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1625
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF200R12KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R12KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R12KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R12KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BSM35GD120DLCE3224BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 70A 280W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：70A
4最大值功率(W)4：280W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1626
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM35GD120DLCE3224BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM35GD120DLCE3224BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM35GD120DLCE3224BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM35GD120DLCE3224BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FS75R12KE3B9BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 105A 355W
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封装：模块
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包装：
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型号： FF150R17ME3GBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 240A 1050W
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描述： IGBT MOD 1200V 325A 1150W
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6ntc热敏电阻6：是
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封装：模块
料号：JTG11-1629
包装：
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合作现货:0
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 295A 1050W
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型号： DF300R12KE3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 480A 1470W
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外壳：模块
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型号： FF150R12MS4GBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 225A 1250W
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1配置1：2 个独立式
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6ntc热敏电阻6：是
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封装：模块
料号：JTG11-1632
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF150R12MS4GBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS100R06KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 600V 100A 335W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:295A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：335W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1633
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS100R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BYM300A120DN2HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 450A 1000W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:295A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：450A
4最大值功率(W)4：1000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1634
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BYM300A120DN2HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FS100R07PE4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 100A 335W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:295A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：335W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1635
包装：
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合作现货:0
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型号： FF225R12ME4B11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 320A 1050W
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1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：320A
4最大值功率(W)4：1050W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1636
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF225R12ME4B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF225R12ME4B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF225R12ME4B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF225R12ME4B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： GSID100A120T2C1
品牌： SemiQ
描述： IGBT MOD 1200V 200A 640W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:295A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.7nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：640W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1637
包装：
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合作现货:0
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型号： GSID100A120T2C1A
品牌： SemiQ
描述： IGBT MOD 1200V 200A 800W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:295A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.7nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.7nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：800W
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1638
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSID100A120T2C1A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SemiQ' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： F4100R17ME4B11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 155A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:200A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:325A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:295A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:480A *4最大值功率(W)*4:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.7nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.7nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:155A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1639
包装：
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合作现货:0
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型号： FD200R12KE3PHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 200A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:230W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):20A 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:82A *4最大值功率(W)*4:345W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 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个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，225A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.7nF @ 25V 系列:Amp+™ 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.7nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:155A *4最大值功率(W)*4:155A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 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1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
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外壳：模块
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料号：JTG11-1640
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FD200R12KE3PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FD200R12KE3PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FD200R12KE3PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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