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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FS200R07N3E4RB11BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 200A 600W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1721
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS200R07N3E4RB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R07N3E4RB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R07N3E4RB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R07N3E4RB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： F4100R12KS4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 130A 660W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：130A
4最大值功率(W)4：660W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1722
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F4100R12KS4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F4100R12KS4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F4100R12KS4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F4100R12KS4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS100R17KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 145A 555W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：145A
4最大值功率(W)4：555W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1723
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS100R17KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R17KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R17KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R17KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FP75R17N3E4BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 125A 555W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：125A
4最大值功率(W)4：555W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1724
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP75R17N3E4BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP75R17N3E4BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP75R17N3E4BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP75R17N3E4BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FF450R12KE4PHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 450A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
1配置1：半桥逆变器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：450A
4最大值功率(W)4：450A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1725
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF450R12KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FF450R12KT4PHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 450A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：450A
4最大值功率(W)4：450A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1726
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF450R12KT4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12KT4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12KT4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12KT4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF300R17KE4PHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 600A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：600A
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1727
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF300R17KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17KE4PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF300R12MS4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 370A 1950W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：370A
4最大值功率(W)4：1950W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1728
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R12MS4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FF300R17KE3S4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE VCES 600V 300A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1729
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF300R17KE3S4HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17KE3S4HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17KE3S4HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17KE3S4HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FZ600R17KE3S4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 1200A 3150W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V
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型号： IFS100B12N3E4PB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 150A 515W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V
1配置1：全桥
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3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：515W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
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包装：
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描述： IGBT MOD 1200V 100A 515W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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料号：JTG11-1732
包装：
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型号： F3L11MR12W2M1B65BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： LOW POWER EASY
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:.2W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.36nF @ 800V
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：.2W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：AG-EASY2BM-2
料号：JTG11-1733
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L11MR12W2M1B65BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L11MR12W2M1B65BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L11MR12W2M1B65BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IFF300B12N2E4PB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 600A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:.2W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.36nF @ 800V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1734
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IFF300B12N2E4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IFF300B12N2E4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IFF300B12N2E4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IFF300B12N2E4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FF300R17ME3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 375A 1650W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:.2W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.36nF @ 800V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:375A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:27nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：375A
4最大值功率(W)4：1650W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1735
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF300R17ME3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17ME3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17ME3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： FF450R12ME3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 600A 2100W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:.2W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.36nF @ 800V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:375A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:27nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
4最大值功率(W)4：2100W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1736
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF450R12ME3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12ME3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12ME3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF450R12ME3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： F3L400R07ME4B22BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 450A 1150W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:.2W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.36nF @ 800V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:375A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:27nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1.95V @ 15V，400A 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V
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包装：
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型号： F3L400R07ME4B23BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 450A 1150W
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1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：450A
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6ntc热敏电阻6：是
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料号：JTG11-1738
包装：
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合作现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSM200GB120DLCHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 420A 1550W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥逆变器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:450A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:600A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200A *4最大值功率(W)*4:3150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟道 *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:.2W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.36nF @ 800V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:375A *4最大值功率(W)*4:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:27nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1.95V @ 15V，400A 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1550W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：420A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1739
包装：
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型号： FF300R17ME4PB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 600A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:145A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 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制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:600A *4最大值功率(W)*4:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1.95V @ 15V，400A 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:420A *4最大值功率(W)*4:1550W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 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1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：600A
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6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1740
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17ME4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17ME4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R17ME4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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