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状态： 在售
型号： F3L300R12MT4PB23BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 300A 20MW
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1761
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F3L300R12MT4PB23BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L300R12MT4PB23BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L300R12MT4PB23BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L300R12MT4PB23BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DF200R12PT4B6BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 300A 1100W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：1100W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1762
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF200R12PT4B6BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF200R12PT4B6BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF200R12PT4B6BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF200R12PT4B6BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FD200R12PT4B6BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 300A 1100W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：1100W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1763
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FD200R12PT4B6BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FD200R12PT4B6BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FD200R12PT4B6BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FD200R12PT4B6BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BSM400GA120DN2HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 550A 2700W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V
1配置1：单开关
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：550A
4最大值功率(W)4：2700W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1764
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM400GA120DN2HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM400GA120DN2HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM400GA120DN2HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM400GA120DN2HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IFS100B17N3E4PB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 150A 600W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1765
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IFS100B17N3E4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IFS100B17N3E4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IFS100B17N3E4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IFS100B17N3E4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BSM75GD120DLCBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 125A 500W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：125A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1766
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM75GD120DLCBOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： IFF450B12ME4S8PB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 450A 20MW ECONO
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：AG-ECONOD-6
料号：JTG11-1767
包装：
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 150A 835W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V
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封装：模块
料号：JTG11-1768
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 150A 835W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V
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2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
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5输入5：标准
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外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1769
包装：
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 300A 20MW
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包装：
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 300A 750W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 4 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1700V 370A
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 4 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:370A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，250A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：370A
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包装：
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型号： FT150R12KE3GB4BDLA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 200A 700W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 4 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:370A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，250A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V
1配置1：3 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：700W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1773
包装：
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合作现货:0
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型号： IFS150B12N3E4PB11BPSA1
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描述： IGBT MOD 1200V 300A 750W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 4 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:370A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，250A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：300A
4最大值功率(W)4：750W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1774
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型号： FS200R12KT4RB11BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 280A 1000W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 4 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:370A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，250A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：280A
4最大值功率(W)4：1000W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1775
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS200R12KT4RB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R12KT4RB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R12KT4RB11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： F4200R17N3E4BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1700V 200A 20MW
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 4 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:370A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，250A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1700V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1776
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F4200R17N3E4BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： F3L200R12N2H3B47BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 200A 20MW ECONO
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 4 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:370A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，250A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA
1配置1：三级反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：200A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：AG-ECONO2-8
料号：JTG11-1777
包装：
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合作现货:0
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型号： IFS150B12N3E4PB50BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE LOW PWR ECONO
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 4 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:370A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，250A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
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3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
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5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1778
包装：
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合作现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FS100R12KS4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 130A 660W
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:125A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):92µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:450A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:835W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 4 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:370A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，250A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1779
包装：
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型号： FS200R12PT4PBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 200A 20MW
参数： 系列:EconoDUAL™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):15µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:单开关 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:550A *4最大值功率(W)*4:2700W 不同?vge，ic 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Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:370A *4最大值功率(W)*4:370A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，250A 电流-集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:300A *4最大值功率(W)*4:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:280A *4最大值功率(W)*4:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 3 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1700V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三级反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:200A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:130A *4最大值功率(W)*4:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 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2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R12PT4PBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R12PT4PBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS200R12PT4PBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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