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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

清除

不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MMBF4393LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-1
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF4393LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4393LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4393LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4393LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PMBFJ110,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 25V 250MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：10mA @ 15V
4电阻-rds（开）：18 Ohms
5最大功率 值：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG13-4
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMBFJ110,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ110,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ110,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ110,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MMBFJ177LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：300 欧姆
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-7
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBFJ177LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ177LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ177LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ177LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N5457
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 25V 0.31W TO-92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1mA @ 15V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：310mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92
料号：JTG13-10
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5457' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5457' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5457' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5457' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2N4393
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 20V
4电阻-rds（开）：100 欧姆
5最大功率 值：1.8W
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-11
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4393' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBF5459
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 350MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：4mA @ 15V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-12
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF5459' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5459' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5459' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5459' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： J113_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度:
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：2mA @ 15V
4电阻-rds（开）：100 欧姆
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-15
包装： 带盒（TB）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J113_D74Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J113_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J113_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J113_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BSR58
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：8mA @ 15V
4电阻-rds（开）：60 Ohms
5最大功率 值：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-17
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSR58' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR58' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR58' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR58' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMBFJ177,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：300 Ohms
5最大功率 值：300mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG13-20
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMBFJ177,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ177,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ177,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ177,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBF5103
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:16pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：10mA @ 15V
4电阻-rds（开）：16pF @ 15V
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-23
包装：
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合作现货:0
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型号： J112_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:16pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度:
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：50 欧姆
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-26
包装： 带卷（TR）
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBF5460
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:16pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1mA @ 15V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-28
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF5460' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5460' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5460' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5460' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBF5462
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:16pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：4mA @ 15V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-31
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF5462' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5462' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5462' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5462' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBF4393
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 350MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:16pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-34
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF4393' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK3666-3-TB-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:16pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:200mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.2mA @ 10V
4电阻-rds（开）：200 Ohms
5最大功率 值：200mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-CP
料号：JTG13-37
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3666-3-TB-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MMBF4117
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:16pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:200mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):30µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30µA @ 10V
4电阻-rds（开）：3pF @ 10V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-40
包装：
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MMBFJ113
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 350MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:16pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:200mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):30µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：35V
3不同vds时电流-漏极(idss)：2mA @ 15V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-43
包装：
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合作现货:0
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型号： PMBF4393,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 40V 250MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 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最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:200mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):30µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 20V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG13-46
包装：
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMBF4391,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 40V 250MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:16pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:200mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):30µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：50mA @ 20V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG13-49
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMBFJ111
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 350MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:300 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:16pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:200mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):30µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 15V
4电阻-rds（开）：30 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-52
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBFJ111' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ111' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ111' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ111' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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