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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

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不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N5638_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：30V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-559
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5638_D26Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5638_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5638_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5638_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2N5639_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：30V
4电阻-rds（开）：60 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-560
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5639_D75Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5639_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5639_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5639_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BF247A
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-561
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF247A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF247A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF247A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF247A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： KSK596PAWD
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：100¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
封装：TO-92S
料号：JTG13-562
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSK596PAWD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK596PAWD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK596PAWD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK596PAWD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： KSK596PBWD
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：100¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
封装：TO-92S
料号：JTG13-563
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSK596PBWD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK596PBWD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK596PBWD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK596PBWD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： KSK596PCWD
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：100¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
封装：TO-92S
料号：JTG13-564
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSK596PCWD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： FJN598JATA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.15W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
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封装：TO-92-3
料号：JTG13-565
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJN598JATA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJN598JATA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.15W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ）
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-566
包装： 带盒（TB）
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型号： FJN598JBTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.15W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ）
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3不同vds时电流-漏极(idss)：100¦ÌA @ 5
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5最大功率 值：150mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-567
包装： 带盒（TB）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FJN598JBTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.15W TO92
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型号： KSK596BBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：100¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
封装：TO-92S
料号：JTG13-571
包装： 散装
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型号： KSK596BU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
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1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：100¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
封装：TO-92S
料号：JTG13-572
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSK596BU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： KSK596CBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：100¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
封装：TO-92S
料号：JTG13-573
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSK596CBU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： KSK596ABU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
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1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：100¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
封装：TO-92S
料号：JTG13-574
包装： 散装
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 100MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
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5最大功率 值：100mW
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-575
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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型号： KSK30RBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 50V 0.1W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):300¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：50V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：300¦ÌA @ 10
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-576
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSK30RBU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK30RBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： KSK30OBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 50V 0.1W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 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1Fet类型1：N 沟道
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4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-577
包装： 散装
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： KSK30YBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 50V 0.1W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):100¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 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1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：50V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.2mA @ 10V
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5最大功率 值：100mW
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外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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料号：JTG13-578
包装： 散装
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK30YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK30YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK30YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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