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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

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不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： KSK30YTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 50V 0.1W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：50V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.2mA @ 10V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-579
包装： 带盒（TB）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSK30YTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK30YTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK30YTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSK30YTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FJX597JCTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W SOT323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：210¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG13-580
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FJX597JCTF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJX597JCTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJX597JCTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJX597JCTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FJX597JBTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W SOT323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：150¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG13-581
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FJX597JBTF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJX597JBTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJX597JBTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJX597JBTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FJX597JHTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W SOT323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：150¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG13-582
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FJX597JHTF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： FJZ594JTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：150¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-623F
封装：SOT-623F
料号：JTG13-583
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FJZ594JTF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJZ594JTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FJZ594JBTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：150¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-623F
封装：SOT-623F
料号：JTG13-584
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FJZ594JBTF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJZ594JBTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJZ594JBTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJZ594JBTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FJZ594JCTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：20V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：150¦ÌA @ 5
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-623F
封装：SOT-623F
料号：JTG13-585
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FJZ594JCTF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJZ594JCTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJZ594JCTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJZ594JCTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PN4303
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：4mA @ 15V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-586
包装： 散装
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4303' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4303' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4303' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： J113_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：2mA @ 15V
4电阻-rds（开）：100 欧姆
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-587
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J113_D26Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J113_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J113_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J113_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： J113_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
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料号：JTG13-588
包装： 带盒（TB）
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合作现货:0
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型号： J111_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
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5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-589
包装： 带盒（TB）
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型号： PN4091
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
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1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：30mA @ 20V
4电阻-rds（开）：30 欧姆
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-590
包装： 散装
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4091' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PN4092
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：15mA @ 20V
4电阻-rds（开）：50 欧姆
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-591
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN4092' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J113_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：2mA @ 15V
4电阻-rds（开）：100 欧姆
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-592
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J113_D27Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J113_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J113_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J113_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J111_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 15V
4电阻-rds（开）：30 欧姆
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-593
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J111_D27Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： U1897
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：30mA @ 20V
4电阻-rds（开）：30 欧姆
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-594
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'U1897' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： U1898
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
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3不同vds时电流-漏极(idss)：15mA @ 20V
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5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-595
包装： 散装
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合作现货:0
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型号： PN4093
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:100 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：8mA @ 20V
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5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-596
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN4093' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： PN4861
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 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1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：8mA @ 15V
4电阻-rds（开）：60 欧姆
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-597
包装： 散装
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： PN4302
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):210¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:20V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150¦ÌA @ 5 漏极电流（id） - 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1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
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3不同vds时电流-漏极(idss)：500¦ÌA @ 15
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-598
包装： 散装
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4302' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4302' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4302' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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