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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

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不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： J112_D11Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：50 欧姆
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-599
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J112_D11Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112_D11Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： PF5103
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：10mA @ 15V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-600
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PF5103' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PF5103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PF5103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PF5103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： PN4117
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：30¦ÌA @ 10
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-601
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN4117' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4117' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4117' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4117' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： PN4117A
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：30¦ÌA @ 10
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-602
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN4117A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4117A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4117A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4117A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： PN4119
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：200¦ÌA @ 10
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-603
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN4119' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4119' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4119' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4119' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PN4118
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：80¦ÌA @ 10
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-604
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN4118' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4118' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J201
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
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4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-605
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J201' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J202_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：900¦ÌA @ 20
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-606
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J202_D74Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J202_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J202_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J202_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： J202
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-607
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J202' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J202' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J202' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J202' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： PF53012
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V TO92
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封装：TO-92-3
料号：JTG13-608
包装： 散装
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合作现货:0
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型号： J201_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.7V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值: *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：900¦ÌA @ 20
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-611
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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型号： TIS75
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 0.35W TO92
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1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：8mA @ 15V
4电阻-rds（开）：60 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-612
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TIS75' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIS75' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： TIS74
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.7V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值: *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 4nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 4nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:40 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 15V
4电阻-rds（开）：40 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-613
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TIS74' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIS74' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIS74' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： J201_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.7V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值: *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 4nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 4nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:40 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：200¦ÌA @ 20
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-614
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J201_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBFJ203
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 350MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.7V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值: *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 4nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 4nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:40 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：4mA @ 20V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-615
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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型号： J174_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.7V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值: *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 4nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 4nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:40 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):4mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 15V
4电阻-rds（开）：85 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-616
包装： 带盒（TB）
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J174_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： J174_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 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1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
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3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 15V
4电阻-rds（开）：85 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-617
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： J174_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 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1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 15V
4电阻-rds（开）：85 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-618
包装： 带盒（TB）
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J174_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J174_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J174_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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