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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

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不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： J174
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 15V
4电阻-rds（开）：85 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-619
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J174' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： J177_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：300 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-620
包装： 带盒（TB）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J177_D74Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J177_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J177_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J177_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： J177_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：300 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-621
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J177_D26Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J177_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J177_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： J176_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：2mA @ 15V
4电阻-rds（开）：250 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-622
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J176_D27Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J176_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J176_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J176_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J175_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：7mA @ 15V
4电阻-rds（开）：125 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-623
包装： 带盒（TB）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J175_D74Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J175_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J175_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J175_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J177_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：300 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-624
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J177_D27Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： J177_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：300 欧姆
5最大功率 值：350mW
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-625
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J177_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J177_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： J175_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
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2电压-击穿（v（br）gss）：30V
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3不同vds时电流-漏极(idss)：7mA @ 15V
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-626
包装： 带盒（TB）
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J175_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J175_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J175_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J176
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
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5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-627
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J176' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J176' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J176' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： J176_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
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包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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型号： J177
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
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5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-629
包装： 散装
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型号： J175_D27Z
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描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
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1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
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料号：JTG13-630
包装： 带卷（TR）
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型号： P1087
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 350MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 15V *4电阻-rds（开）:150 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 20V
4电阻-rds（开）：150 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-631
包装： 散装
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合作现货:0
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型号： P108718
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
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1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 20V
4电阻-rds（开）：150 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-632
包装： 散装
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2~5天可到达
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型号： PN5434
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 15V *4电阻-rds（开）:150 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 15V *4电阻-rds（开）:150 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:10 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：30mA @ 15V
4电阻-rds（开）：10 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-633
包装： 散装
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合作现货:0
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型号： PN5432
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
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4电阻-rds（开）：5 欧姆
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-634
包装： 散装
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： J108
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 15V *4电阻-rds（开）:150 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 15V *4电阻-rds（开）:150 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:10 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:5 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：80mA @ 15V
4电阻-rds（开）：8 欧姆
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-635
包装： 散装
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： P1086
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 15V *4电阻-rds（开）:150 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 15V *4电阻-rds（开）:150 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:10 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:5 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 15V *4电阻-rds（开）:75 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：30V
4电阻-rds（开）：75 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-636
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P1086' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： J110
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 0.31W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 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1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：18 Ohms
5最大功率 值：310mW
6工作温度：135°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-637
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： J108_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:85 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:300 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 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最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 15V *4电阻-rds（开）:75 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：8 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-638
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J108_D27Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J108_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J108_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J108_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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