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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

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不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： J109_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：12 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-639
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J109_D27Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J109_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： J109_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：12 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-640
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J109_D74Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： J108_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：8 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-641
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J108_D26Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J108_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J108_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： J110_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：18 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-642
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J110_D26Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J110_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J110_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J110_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J109_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：12 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-643
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J109_D75Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J109_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J109_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： J110_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：18 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-644
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J110_D75Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： J108_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
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包装：
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型号： J270_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
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封装：TO-92-3
料号：JTG13-647
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J270_D26Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： J271
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
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合作现货:0
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型号： J270
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
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外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-649
包装：
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型号： J106_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:200mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:6 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：6 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-650
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J106_D26Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： J105_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:200mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:6 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：3 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-651
包装：
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合作现货:0
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型号： J105_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
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1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：3 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-652
包装：
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型号： J107_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:200mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:6 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:100mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：8 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-653
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J107_D75Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： JFTJ105
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 1W SOT223
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1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：3 Ohms
5最大功率 值：1W
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223-4
料号：JTG13-654
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JFTJ105' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JFTJ105' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JFTJ105' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBF5457LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:200mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:6 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:100mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:1W *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-655
包装：
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合作现货:0
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型号： MMBF5460LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:200mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:6 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:100mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:1W *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：40V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-658
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF5460LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5460LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBF5484LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 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最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:5pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：5pF @ 15V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-661
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： J109,126
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 25V 0.4W SOT54
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 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最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:200mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:6 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:100mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:3 Ohms *5最大功率 值:1W *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:5pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:12 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：12 Ohms
5最大功率 值：400mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-664
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J109,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J109,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J109,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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