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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

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不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N5461RLRA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 40V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：40V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 135°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-665
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5461RLRA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5461RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5461RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5461RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N5461RLRAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 40V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：40V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 135°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-666
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5461RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5461RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5461RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N5462G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 40V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：40V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 135°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-667
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5462G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5462G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5462G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 2N5638RLRA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.31W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：310mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-668
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5638RLRA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5638RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5638RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N5638RLRAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.31W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：310mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-669
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5638RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5638RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5638RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 2N5639G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.31W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30V
4电阻-rds（开）：60 Ohms
5最大功率 值：310mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-670
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5639G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5639G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5639G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5639G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N5639RLRAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.31W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30V
4电阻-rds（开）：60 Ohms
5最大功率 值：310mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-671
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5639RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5639RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5639RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5639RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFR30LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 225MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：5pF @ 10V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-672
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR30LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR30LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR30LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR30LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： BFR30LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 225MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：5pF @ 10V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-673
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR30LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR30LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR30LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR30LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFR31LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 225MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：5pF @ 10V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-674
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR31LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFR31LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 225MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：5pF @ 10V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-675
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR31LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BSR58LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 350MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：40V
4电阻-rds（开）：60 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-676
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSR58LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR58LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR58LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR58LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J110G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 0.31W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：18 Ohms
5最大功率 值：310mW
6工作温度：135°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-677
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J110G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： J110RLRAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 0.31W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：18 Ohms
5最大功率 值：310mW
6工作温度：135°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-678
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J110RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J110RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J110RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：35V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-679
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J111RL1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111RL1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111RL1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111RL1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J111RLRAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：35V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-680
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J111RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： J111RLRPG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：35V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-681
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J111RLRPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111RLRPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111RLRPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111RLRPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J112G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：35V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-682
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J112G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： J112RL1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：35V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-683
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J112RL1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112RL1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112RL1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112RL1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： J112RL1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:50mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:25mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 12V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:5pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):35V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：35V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-684
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J112RL1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112RL1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112RL1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112RL1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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