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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

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不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： U1898_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：15mA @ 20V
4电阻-rds（开）：50 欧姆
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-728
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'U1898_D27Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK0663GRL
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：55V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1mA @ 10V
4电阻-rds（开）：6.5pF @ 10V
5最大功率 值：150mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-85
封装：S迷你型3-F2
料号：JTG13-729
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK0663GRL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK0663GRL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK0663GRL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK0663GRL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK3372GRL
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：20V
3不同vds时电流-漏极(idss)：107µA @ 2V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：-20°C ~ 80°C（TA）
外壳：SOT-723
封装：SSS迷你型3-F2
料号：JTG13-732
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3372GRL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GRL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GRL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GRL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2SK3372GSL
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：20V
3不同vds时电流-漏极(idss)：107µA @ 2V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：-20°C ~ 80°C（TA）
外壳：SOT-723
封装：SSS迷你型3-F2
料号：JTG13-735
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3372GSL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GSL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GSL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GSL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK3372GTL
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：20V
3不同vds时电流-漏极(idss)：107µA @ 2V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：-20°C ~ 80°C（TA）
外壳：SOT-723
封装：SSS迷你型3-F2
料号：JTG13-738
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3372GTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK771-5-TB-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 20MA 200MW SCP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 10V
4电阻-rds（开）：9pF @ 10V
5最大功率 值：200mW
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-CP
料号：JTG13-741
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK771-5-TB-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK771-5-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK771-5-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK771-5-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J108,126
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 25V 0.4W SOT54
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：8 Ohms
5最大功率 值：400mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-744
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J108,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J108,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J108,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J110,126
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 25V 0.4W SOT54
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-745
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J110,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J110,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J110,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PMBFJ113,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：40V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：300mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG13-746
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMBFJ113,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ113,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ113,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ113,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： EC3A03B-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
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料号：JTG13-749
包装：
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合作现货:0
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型号： EC3A04B-3-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
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料号：JTG13-750
包装：
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型号： TF202THC-3-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-
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外壳：3-SMD，扁平引线
封装：3-VTFP
料号：JTG13-751
包装：
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型号： TF202THC-5-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
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外壳：3-SMD，扁平引线
封装：3-VTFP
料号：JTG13-752
包装：
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状态： 在售
型号： TF252-4-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 30MW USFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：140µA @ 2V
4电阻-rds（开）：3.1pF @ 2V
5最大功率 值：30mW
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外壳：3-SMD，扁平引线
封装：3-USFP
料号：JTG13-753
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TF252-4-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TF256-4-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 30MW USFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：140µA @ 2V
4电阻-rds（开）：3.1pF @ 2V
5最大功率 值：30mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-1123
封装：3-USFP
料号：JTG13-754
包装：
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合作现货:0
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型号： TF256-5-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 30MW USFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):240µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：240µA @ 2V
4电阻-rds（开）：3.1pF @ 2V
5最大功率 值：30mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-1123
封装：3-USFP
料号：JTG13-755
包装：
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： TF256TH-4-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):240µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
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4电阻-rds（开）：3.1pF @ 2V
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：3-VTFP
料号：JTG13-756
包装：
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状态： 在售
型号： TF256TH-5-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
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1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
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5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：3-VTFP
料号：JTG13-757
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMMBF4391LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:20mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 10V *4电阻-rds（开）:9pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):240µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):240µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：50mA @ 15V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG13-758
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： J112RLRAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 0.35W TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 欧姆 *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 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最大值:10mA @ 5V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:400mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:3.5pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):240µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):240µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V（VGS） *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：35V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-759
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J112RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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