首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 晶体管 - JFET
元器件型号：649 件
当前类别共649 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*电压 - 击穿（v（br）gss）

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

清除

漏极电流（id） - 最大值

清除

不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*电阻 - rds（开）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 649
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 2SK596S-B
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 100MW SPA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：150µA @ 5V
4电阻-rds（开）：4.1pF @ 5V
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-72
封装：3-SPA
料号：JTG13-761
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK596S-B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK596S-B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK596S-B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK596S-B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK715U
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 50MA 300MW SPA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：15V
3不同vds时电流-漏极(idss)：7.3mA @ 5V
4电阻-rds（开）：10pF @ 5V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-72
封装：3-SPA
料号：JTG13-762
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK715U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK715V
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 50MA 300MW SPA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：15V
3不同vds时电流-漏极(idss)：10mA @ 5V
4电阻-rds（开）：10pF @ 5V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-72
封装：3-SPA
料号：JTG13-763
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK715V' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK715W
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 50MA 300MW SPA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：15V
3不同vds时电流-漏极(idss)：14.5mA @ 5V
4电阻-rds（开）：10pF @ 5V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-72
封装：3-SPA
料号：JTG13-764
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK715W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK715U-AC
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 50MA 300MW SPA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：15V
3不同vds时电流-漏极(idss)：7.3mA @ 5V
4电阻-rds（开）：10pF @ 5V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-72
封装：3-SPA
料号：JTG13-765
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK715U-AC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715U-AC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715U-AC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715U-AC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK715V-AC
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 50MA 300MW SPA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：15V
3不同vds时电流-漏极(idss)：10mA @ 5V
4电阻-rds（开）：10pF @ 5V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-72
封装：3-SPA
料号：JTG13-766
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK715V-AC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715V-AC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715V-AC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715V-AC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK715W-AC
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 50MA 300MW SPA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：15V
3不同vds时电流-漏极(idss)：14.5mA @ 5V
4电阻-rds（开）：10pF @ 5V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-72
封装：3-SPA
料号：JTG13-767
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK715W-AC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715W-AC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715W-AC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK715W-AC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TF256-3-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 30MW USFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：100µA @ 2V
4电阻-rds（开）：3.1pF @ 2V
5最大功率 值：30mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：3-USFP
料号：JTG13-768
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TF256-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF256-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF256-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF256-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TF408-2-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 10MA 30MW USFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：600µA @ 10V
4电阻-rds（开）：4pF @ 10V
5最大功率 值：30mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：3-USFP
料号：JTG13-769
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TF408-2-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF408-2-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF408-2-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF408-2-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TF408-3-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 10MA 30MW USFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.2mA @ 10V
4电阻-rds（开）：4pF @ 10V
5最大功率 值：30mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：3-USFP
料号：JTG13-770
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TF408-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF408-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF408-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF408-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TF410-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 30MW USFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：50µA @ 10V
4电阻-rds（开）：0.7pF @ 10V
5最大功率 值：30mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：3-USFP
料号：JTG13-771
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TF410-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF410-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF410-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF410-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK3796-4-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 10MA 100MW SMCP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：2.5mA @ 10V
4电阻-rds（开）：200 Ohms
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SMCP
料号：JTG13-772
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3796-4-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3796-4-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3796-4-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3796-4-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TF208TH-4-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：140µA @ 2V
4电阻-rds（开）：5pF @ 2V
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：VTFP
料号：JTG13-773
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TF208TH-4-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF208TH-4-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF208TH-4-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF208TH-4-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TF208TH-5-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：210µA @ 2V
4电阻-rds（开）：5pF @ 2V
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：VTFP
料号：JTG13-774
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TF208TH-5-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF208TH-5-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF208TH-5-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF208TH-5-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TF256TH-3-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：100µA @ 2V
4电阻-rds（开）：3.1pF @ 2V
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：VTFP
料号：JTG13-775
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TF256TH-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF256TH-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF256TH-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF256TH-3-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPF4393RLRPG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 0.35W TO-92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 15V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-776
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPF4393RLRPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPF4393RLRPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPF4393RLRPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPF4393RLRPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N5116JAN02
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： JFET P-CH 30V TO-18
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 15V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值: *6工作温度:
1Fet类型1：-
2电压-击穿（v（br）gss）：-
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：-
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-206AA（TO-18）
料号：JTG13-778
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5116JAN02' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5116JAN02' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5116JAN02' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5116JAN02' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N5432-2
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： JFET N-CH 25V 0.3W TO-52
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 15V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：150mA @ 15V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：300mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-206AC，TO-52-3，金属罐
封装：TO-206AC（TO-52）
料号：JTG13-779
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5432-2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5432-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5432-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5432-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SST4118-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： JFET N-CH 70V 80UA SOT-23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 15V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：80¦ÌA @ 10
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-780
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SST4118-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SST4118-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SST4118-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SST4118-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SST5461-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： JFET P-CH 55V 2MA SOT-23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):150µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.1pF @ 5V *4电阻-rds（开）:4.1pF @ 5V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:30mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:200 Ohms *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):210µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 2V *4电阻-rds（开）:5pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):100µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *4电阻-rds（开）:3.1pF @ 2V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 15V（VGS） *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):150mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):80¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：2mA @ 15V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-781
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SST5461-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SST5461-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SST5461-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SST5461-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有649个记录    每页显示20条，本页501-520条    26/33页    首 页    上一页   22  23  24  25  26  27  28  29  30   下一页    尾 页      
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922