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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

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不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 649
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： JANTX2N4092UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： JFET N-CH 40V 0.36W SMD
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：15mA @ 20V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-
外壳：4-SMD，无引线
封装：4-SMD
料号：JTG13-807
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N4092UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4092UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： JANTX2N4093UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： JFET N-CH 40V 0.36W SMD
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：8mA @ 20V
4电阻-rds（开）：80 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG13-808
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N4093UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4093UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4093UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4093UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： JANTX2N4416AUB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：35V
3不同vds时电流-漏极(idss)：15mA @ 15V
4电阻-rds（开）：4pF @ 15V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：-
外壳：4-SMD，无引线
封装：4-SMD
料号：JTG13-809
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N4416AUB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4416AUB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4416AUB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4416AUB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： JANTX2N4856UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： JFET N-CH 40V 0.36W SMD
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：175mA @ 15V
4电阻-rds（开）：25 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG13-810
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N4856UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4856UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4856UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4856UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： J111-D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：35V
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 15V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-811
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J111-D74Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111-D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111-D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J111-D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： J112-D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-812
包装： 带盒（TB）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J112-D74Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112-D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： J112-D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：35V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-813
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J112-D27Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112-D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112-D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J112-D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NSVJ2394SA3T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC JFET N-CH LNA SC59-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：15V
2漏源极电压（vdss）：15V
3不同vds时电流-漏极(idss)：32mA @ 5V
4电阻-rds（开）：10pF @ 5V
5最大功率 值：200mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SC-59-3/CP3
料号：JTG13-814
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVJ2394SA3T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVJ2394SA3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVJ2394SA3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVJ2394SA3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： NSVJ3910SB3T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:6pF @ 5V *5最大功率 值:400mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 5V
4电阻-rds（开）：6pF @ 5V
5最大功率 值：400mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-CPH
料号：JTG13-815
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVJ3910SB3T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVJ3910SB3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVJ3910SB3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVJ3910SB3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N4859A
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:6pF @ 5V *5最大功率 值:400mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：50mA @ 15V
4电阻-rds（开）：25 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-816
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N3821
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:6pF @ 5V *5最大功率 值:400mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：50V
2漏源极电压（vdss）：50V
3不同vds时电流-漏极(idss)：2.5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：
5最大功率 值：300mW
6工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG13-817
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N3821' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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状态： 在售
型号： 2N3823
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:6pF @ 5V *5最大功率 值:400mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
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外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG13-818
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N3823' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 2N4391UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:6pF @ 5V *5最大功率 值:400mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度:
1Fet类型1：
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外壳：
封装：
料号：JTG13-819
包装：
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型号： 2N4392UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:6pF @ 5V *5最大功率 值:400mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度:
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外壳：
封装：
料号：JTG13-820
包装：
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型号： 2N4393UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:6pF @ 5V *5最大功率 值:400mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度:
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外壳：
封装：
料号：JTG13-821
包装：
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型号： 2N4091
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
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1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30mA @ 20V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-822
包装： 散装
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型号： 2N4092
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:6pF @ 5V *5最大功率 值:400mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：15mA @ 20V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-823
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4092' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N4092UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： JFET N-CHAN 40V 3SMD
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:6pF @ 5V *5最大功率 值:400mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：15mA @ 20V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：3-SMD，无引线
封装：3-UB（3.09X2.45）
料号：JTG13-824
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4092UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4092UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4092UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4092UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N4093UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： JFET N-CHAN 40V 3SMD
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):32mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:6pF @ 5V *5最大功率 值:400mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:250pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：8mA @ 20V
4电阻-rds（开）：80 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：3-SMD，无引线
封装：3-UB（3.09X2.45）
料号：JTG13-825
包装： 散装
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N4091UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： JFET N-CHAN 40V 3SMD
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:15mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 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1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30mA @ 20V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：3-SMD，无引线
封装：3-UB（3.09X2.45）
料号：JTG13-826
包装： 散装
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4091UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4091UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4091UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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