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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

清除

不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N5115UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： P CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：60mA @ 15V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：500mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG13-827
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5115UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5115UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N4856
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：175mA @ 15V
4电阻-rds（开）：25 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-828
包装： 散装
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4856' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N4857
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：100mA @ 15V
4电阻-rds（开）：40 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-829
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4857' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4857' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4857' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 2N4858
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：80mA @ 15V
4电阻-rds（开）：60 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-830
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4858' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 2N4859
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：175mA @ 15V
4电阻-rds（开）：25 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-831
包装： 散装
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：100mA @ 15V
4电阻-rds（开）：40 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-832
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4860' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 2N4856UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:-
1Fet类型1：-
2电压-击穿（v（br）gss）：-
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：-
4电阻-rds（开）：-
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6工作温度：-
外壳：
封装：
料号：JTG13-833
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4856UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4856UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4856UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4856UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N4857UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:-
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外壳：
封装：
料号：JTG13-834
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4857UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： 2N4858UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： JFET N-CHAN 40V 3SMD
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
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4电阻-rds（开）：60 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：3-SMD，无引线
封装：3-UB（3.09X2.45）
料号：JTG13-835
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4858UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4858UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4858UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4858UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N4859UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:-
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外壳：
封装：
料号：JTG13-836
包装：
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合作现货:0
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型号： 2N4860UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:-
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2电压-击穿（v（br）gss）：-
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5最大功率 值：-
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外壳：
封装：
料号：JTG13-837
包装：
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型号： PN4393
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANSISTOR SWITCH N-CH SS TO-92
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1Fet类型1：-
2电压-击穿（v（br）gss）：-
2漏源极电压（vdss）：-
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4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：-
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外壳：
封装：
料号：JTG13-838
包装：
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型号： 2N5460_L99Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：
3不同vds时电流-漏极(idss)：40V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 135°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92（TO-226）
料号：JTG13-839
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5460_L99Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N5461_L99Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
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1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：
3不同vds时电流-漏极(idss)：40V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 135°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92（TO-226）
料号：JTG13-840
包装：
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N5457_L99Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:9mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：310mW
6工作温度：135°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92（TO-226）
料号：JTG13-841
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5457_L99Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： JANTX2N4857
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： JFET N-CH 40V 360MW TO-18
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:9mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:100mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：100mA @ 15V
4电阻-rds（开）：40 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-842
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4857' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N3822
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:9mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:100mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）:6pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：50V
2漏源极电压（vdss）：50V
3不同vds时电流-漏极(idss)：10mA @ 15V
4电阻-rds（开）：6pF @ 15V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG13-843
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N3822' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3822' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N4093
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:- *6工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss):40V 漏极电流（id） - 最大值:9mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:310mW *6工作温度:135°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:100mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 15V *4电阻-rds（开）:6pF @ 15V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:8mA @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：8mA @ 20V
4电阻-rds（开）：80 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-844
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4093' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N5114UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： P CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 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1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：90mA @ 18V
4电阻-rds（开）：75 Ohms
5最大功率 值：500mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG13-845
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N5116UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： P CHANNEL JFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):60mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:500mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:360mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 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1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25mA @ 15V
4电阻-rds（开）：175 Ohms
5最大功率 值：500mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG13-846
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5116UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5116UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5116UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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