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元器件型号：649 件
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系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*电压 - 击穿（v（br）gss）

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

清除

漏极电流（id） - 最大值

清除

不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*电阻 - rds（开）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 649
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MV2N4092
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：15mA @ 20V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18（TO-206AA）
料号：JTG13-847
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2N4092' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MV2N4391
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:
1Fet类型1：
2电压-击穿（v（br）gss）：
2漏源极电压（vdss）：
3不同vds时电流-漏极(idss)：
4电阻-rds（开）：
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：
封装：
料号：JTG13-848
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2N4391' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4391' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4391' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4391' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MV2N4391UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:-
1Fet类型1：-
2电压-击穿（v（br）gss）：-
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：-
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：-
6工作温度：-
外壳：
封装：
料号：JTG13-849
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2N4391UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4391UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4391UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4391UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MV2N4392
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:
1Fet类型1：
2电压-击穿（v（br）gss）：
2漏源极电压（vdss）：
3不同vds时电流-漏极(idss)：
4电阻-rds（开）：
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：
封装：
料号：JTG13-850
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2N4392' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4392' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4392' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4392' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MV2N4392UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:-
1Fet类型1：-
2电压-击穿（v（br）gss）：-
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：-
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：-
6工作温度：-
外壳：
封装：
料号：JTG13-851
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2N4392UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4392UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4392UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4392UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MV2N4393
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）:
1Fet类型1：
2电压-击穿（v（br）gss）：
2漏源极电压（vdss）：
3不同vds时电流-漏极(idss)：
4电阻-rds（开）：
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：
封装：
料号：JTG13-852
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2N4393' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MV2N4393UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:-
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封装：
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包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
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料号：JTG13-854
包装： 散装
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:-
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6工作温度：-
外壳：
封装：
料号：JTG13-857
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MV2N4858
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
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4电阻-rds（开）：60 Ohms
5最大功率 值：360mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18（TO-206AA）
料号：JTG13-858
包装： 散装
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合作现货:0
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型号： MV2N4858UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:-
1Fet类型1：-
2电压-击穿（v（br）gss）：-
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：-
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外壳：
封装：
料号：JTG13-859
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4858UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2N4858UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： MV2N4859
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms
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6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18（TO-206AA）
料号：JTG13-860
包装： 散装
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型号： MV2N4859UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
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封装：TO-18
料号：JTG13-862
包装： 散装
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型号： MV2N4860UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： N CHANNEL JFET
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： P CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):90mA @ 18V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:75 Ohms
1Fet类型1：P 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：90mA @ 18V
4电阻-rds（开）：75 Ohms
5最大功率 值：500mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18（TO-206AA）
料号：JTG13-865
包装： 散装
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MV2N5116
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： P CHANNEL JFET
参数： 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:25 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:40 Ohms 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:- *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *4电阻-rds（开）:60 Ohms 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):90mA @ 18V 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *4电阻-rds（开）:75 Ohms 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 15V *4电阻-rds（开）:100 Ohms
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4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：500mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18（TO-206AA）
料号：JTG13-866
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2N5116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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