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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

清除

不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SST176-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述：
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度:
1Fet类型1：
2电压-击穿（v（br）gss）：
2漏源极电压（vdss）：
3不同vds时电流-漏极(idss)：
4电阻-rds（开）：
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-887
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SST177-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述：
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1Fet类型1：
2电压-击穿（v（br）gss）：
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3不同vds时电流-漏极(idss)：
4电阻-rds（开）：
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-888
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SST5460-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述：
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度:
1Fet类型1：
2电压-击穿（v（br）gss）：
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3不同vds时电流-漏极(idss)：
4电阻-rds（开）：
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-889
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： CMPF4393 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 50MA SOT23
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 20V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-890
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPF4393 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： NSVJ6904DSB6T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 5V
4电阻-rds（开）：78 mOhms
5最大功率 值：700mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：6-CPH
料号：JTG13-891
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVJ6904DSB6T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVJ6904DSB6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NSVJ5908DSG5T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： NCH+NCH J-FET
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
2电压-击穿（v（br）gss）：15V
2漏源极电压（vdss）：15V
3不同vds时电流-漏极(idss)：10mA @ 5V
4电阻-rds（开）：10.5pF @ 5V（标准）
5最大功率 值：300mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：5-SMD，扁平引线
封装：SC-88AFL/MCPH5
料号：JTG13-892
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVJ5908DSG5T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVJ5908DSG5T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVJ5908DSG5T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVJ5908DSG5T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N4392 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25mA @ 20V
4电阻-rds（开）：60 Ohms
5最大功率 值：1.8W
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-893
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4392 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4392 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4392 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4392 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N4393 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 20V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：1.8W
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-894
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4393 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4393 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4393 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4393 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： UJ3N065080K3S
品牌： Qorvo/威讯联合 Qorvo, Inc 威讯联合半导体
描述： 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *4电阻-rds（开）:95 mOhms *5最大功率 值:190W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：650V
2漏源极电压（vdss）：650V
3不同vds时电流-漏极(idss)：650V
4电阻-rds（开）：95 mOhms
5最大功率 值：190W
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：JTG13-895
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UJ3N065080K3S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Qorvo/威讯联合' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UJ3N065080K3S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UJ3N065080K3S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UJ3N065080K3S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： UJ3N120070K3S
品牌： Qorvo/威讯联合 Qorvo, Inc 威讯联合半导体
描述： 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *4电阻-rds（开）:95 mOhms *5最大功率 值:190W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:33.5A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:33.5A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:985pF @ 100V *4电阻-rds（开）:90 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
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外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：JTG13-896
包装：
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合作现货:0
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型号： UJ3N065025K3S
品牌： Qorvo/威讯联合 Qorvo, Inc 威讯联合半导体
描述： 650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *4电阻-rds（开）:95 mOhms *5最大功率 值:190W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:33.5A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:33.5A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:985pF @ 100V *4电阻-rds（开）:90 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:85A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:85A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2360pF @ 100V *4电阻-rds（开）:33 mOhms *5最大功率 值:441W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：650V
2漏源极电压（vdss）：650V
3不同vds时电流-漏极(idss)：650V
4电阻-rds（开）：33 mOhms
5最大功率 值：441W
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：JTG13-897
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UJ3N065025K3S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Qorvo/威讯联合' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UJ3N065025K3S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UJ3N065025K3S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UJ3N065025K3S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： UJ3N120035K3S
品牌： Qorvo/威讯联合 Qorvo, Inc 威讯联合半导体
描述： 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *4电阻-rds（开）:95 mOhms *5最大功率 值:190W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:33.5A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:33.5A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:985pF @ 100V *4电阻-rds（开）:90 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:85A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:85A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2360pF @ 100V *4电阻-rds（开）:33 mOhms *5最大功率 值:441W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:63A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:63A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2145pF @ 100V *4电阻-rds（开）:45 mOhms *5最大功率 值:429W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：1200V
2漏源极电压（vdss）：1200V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1200V
4电阻-rds（开）：45 mOhms
5最大功率 值：429W
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：JTG13-898
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UJ3N120035K3S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Qorvo/威讯联合' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UJ3N120035K3S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N2609
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： JFETS
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *4电阻-rds（开）:95 mOhms *5最大功率 值:190W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:33.5A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:33.5A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:985pF @ 100V *4电阻-rds（开）:90 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:85A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:85A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2360pF @ 100V *4电阻-rds（开）:33 mOhms *5最大功率 值:441W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:63A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:63A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2145pF @ 100V *4电阻-rds（开）:45 mOhms *5最大功率 值:429W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：2mA @ 5V
4电阻-rds（开）：10pF @ 5V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18（TO-206AA）
料号：JTG13-899
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2609' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2609' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2609' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMPF4391 TR TIN/LEAD
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 50MA SOT23
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *4电阻-rds（开）:95 mOhms *5最大功率 值:190W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:33.5A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:33.5A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:985pF @ 100V *4电阻-rds（开）:90 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:85A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:85A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2360pF @ 100V *4电阻-rds（开）:33 mOhms *5最大功率 值:441W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:63A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:63A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2145pF @ 100V *4电阻-rds（开）:45 mOhms *5最大功率 值:429W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：50mA @ 20V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-900
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPF4391 TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPF4391 TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPF4391 TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPF4391 TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMPF4392 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 50MA SOT23
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *4电阻-rds（开）:95 mOhms *5最大功率 值:190W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:33.5A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:33.5A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:985pF @ 100V *4电阻-rds（开）:90 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:85A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:85A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2360pF @ 100V *4电阻-rds（开）:33 mOhms *5最大功率 值:441W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:63A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:63A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2145pF @ 100V *4电阻-rds（开）:45 mOhms *5最大功率 值:429W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25mA @ 20V
4电阻-rds（开）：60 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-901
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPF4392 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N4391 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *4电阻-rds（开）:95 mOhms *5最大功率 值:190W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:33.5A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:33.5A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:985pF @ 100V *4电阻-rds（开）:90 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:85A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:85A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2360pF @ 100V *4电阻-rds（开）:33 mOhms *5最大功率 值:441W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:63A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:63A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2145pF @ 100V *4电阻-rds（开）:45 mOhms *5最大功率 值:429W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):150mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:100pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：150mA @ 20V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：1.8W
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG13-902
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4391 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4391 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4391 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4391 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： UJ3N120065K3S
品牌： Qorvo/威讯联合 Qorvo, Inc 威讯联合半导体
描述： 1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *4电阻-rds（开）:95 mOhms *5最大功率 值:190W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:33.5A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:33.5A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:985pF @ 100V *4电阻-rds（开）:90 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:85A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:85A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2360pF @ 100V *4电阻-rds（开）:33 mOhms *5最大功率 值:441W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:63A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:63A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2145pF @ 100V *4电阻-rds（开）:45 mOhms *5最大功率 值:429W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):150mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:100pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):5µA @ 1200V 漏极电流（id） - 最大值:34A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:34A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1008pF @ 100V *4电阻-rds（开）:55 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：1200V
2漏源极电压（vdss）：1200V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5µA @ 1200V
4电阻-rds（开）：55 mOhms
5最大功率 值：254W
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：JTG13-903
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK1070PICTL-E
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： JFET N-CH MPAK
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *4电阻-rds（开）:78 mOhms *5最大功率 值:700mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:15V *2漏源极电压（vdss）:15V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V（标准） *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V（标准） *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:32A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:32A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 100V *4电阻-rds（开）:95 mOhms *5最大功率 值:190W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:33.5A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:33.5A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:985pF @ 100V *4电阻-rds（开）:90 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:650V *2漏源极电压（vdss）:650V *3不同vds时电流-漏极(idss):650V 漏极电流（id） - 最大值:85A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:85A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2360pF @ 100V *4电阻-rds（开）:33 mOhms *5最大功率 值:441W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):1200V 漏极电流（id） - 最大值:63A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:63A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2145pF @ 100V *4电阻-rds（开）:45 mOhms *5最大功率 值:429W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):150mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:100pA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:1.8W *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:UnitedSiC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:1200V *2漏源极电压（vdss）:1200V *3不同vds时电流-漏极(idss):5µA @ 1200V 漏极电流（id） - 最大值:34A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:34A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1008pF @ 100V *4电阻-rds（开）:55 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:22V *2漏源极电压（vdss）:22V *3不同vds时电流-漏极(idss):12mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:0V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 5V *4电阻-rds（开）:9pF @ 5V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：22V
2漏源极电压（vdss）：22V
3不同vds时电流-漏极(idss)：12mA @ 5V
4电阻-rds（开）：9pF @ 5V
5最大功率 值：150mW
6工作温度：150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-MPAK
料号：JTG13-904
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK1070PIDTL-E
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： JFET N-CH MPAK
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 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最大值:34A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:34A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1008pF @ 100V *4电阻-rds（开）:55 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:22V *2漏源极电压（vdss）:22V *3不同vds时电流-漏极(idss):12mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:0V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 5V *4电阻-rds（开）:9pF @ 5V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:22V *2漏源极电压（vdss）:22V *3不同vds时电流-漏极(idss):12mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:0V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 5V *4电阻-rds（开）:9pF @ 5V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：22V
2漏源极电压（vdss）：22V
3不同vds时电流-漏极(idss)：12mA @ 5V
4电阻-rds（开）：9pF @ 5V
5最大功率 值：150mW
6工作温度：150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-MPAK
料号：JTG13-905
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK1070PIETL-E
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： JFET N-CH MPAK
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1: *2电压-击穿（v（br）gss）: *2漏源极电压（vdss）: *3不同vds时电流-漏极(idss): 漏极电流（id） - 最大值: 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: *4电阻-rds（开）: *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流（id） - 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最大值:34A 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:34A 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1008pF @ 100V *4电阻-rds（开）:55 mOhms *5最大功率 值:254W *6工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:22V *2漏源极电压（vdss）:22V *3不同vds时电流-漏极(idss):12mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:0V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 5V *4电阻-rds（开）:9pF @ 5V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:22V *2漏源极电压（vdss）:22V *3不同vds时电流-漏极(idss):12mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:0V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 5V *4电阻-rds（开）:9pF @ 5V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:22V *2漏源极电压（vdss）:22V *3不同vds时电流-漏极(idss):12mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:0V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 5V *4电阻-rds（开）:9pF @ 5V *5最大功率 值:150mW *6工作温度:150°C
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：22V
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3不同vds时电流-漏极(idss)：12mA @ 5V
4电阻-rds（开）：9pF @ 5V
5最大功率 值：150mW
6工作温度：150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-MPAK
料号：JTG13-906
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK1070PIETL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK1070PIETL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK1070PIETL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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