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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

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*漏源极电压（vdss）

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*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

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漏极电流（id） - 最大值

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不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*电阻 - rds（开）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 649
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MMBFJ305
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：8mA @ 15V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-210
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBFJ305' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ305' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ305' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ305' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： PMBFJ175,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30V
4电阻-rds（开）：125 Ohms
5最大功率 值：300mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG13-213
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMBFJ175,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ175,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ175,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ175,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK879-Y(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： JFET N-CH 0.1W USM
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.2mA @ 10V
4电阻-rds（开）：8.2pF @ 10V
5最大功率 值：100mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：USM
料号：JTG13-216
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK879-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK879-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK879-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK879-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BSR57
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 15V
4电阻-rds（开）：40 Ohms
5最大功率 值：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-219
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSR57' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR57' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR57' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR57' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK3738-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 40V SC-75
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：50µA @ 10V
4电阻-rds（开）：1.7pF @ 10V
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SMCP
料号：JTG13-222
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3738-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3738-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3738-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3738-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MMBFJ270
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：2mA @ 15V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-225
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBFJ270' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ270' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ270' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ270' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBF5457
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 350MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1mA @ 15V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-228
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF5457' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5457' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5457' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5457' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBF4118
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：80µA @ 10V
4电阻-rds（开）：3pF @ 10V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-231
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF4118' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4118' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4118' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4118' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TF414T5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC JFET N-CH 40V XDFN3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：50µA @ 10V
4电阻-rds（开）：0.7pF @ 10V
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-101，SOT-883
封装：SOT-883（XDFN3）（1X0.6）
料号：JTG13-234
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TF414T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF414T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF414T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF414T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TF412ST5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.2mA @ 10V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：3-XFDFN
封装：SOT-883（XDFN3）（1X0.6）
料号：JTG13-237
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TF412ST5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF412ST5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF412ST5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TF412ST5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBF4392
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 0.35W SOT-23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25mA @ 20V
4电阻-rds（开）：60 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-240
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF4392' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4392' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4392' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4392' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBF4093
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 350MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：8mA @ 20V
4电阻-rds（开）：80 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-243
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF4093' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4093' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4093' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4093' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBF4092
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 40V 350MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：15mA @ 20V
4电阻-rds（开）：50 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-246
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF4092' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4092' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBF5461
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：2mA @ 15V
4电阻-rds（开）：7pF @ 15V
5最大功率 值：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG13-249
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF5461' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5461' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5461' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5461' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： J109_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度:
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：40mA @ 15V
4电阻-rds（开）：12 欧姆
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-252
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J109_D26Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MMBF5434
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:30pF @ 10V（VGS） *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30mA @ 15V
4电阻-rds（开）：30pF @ 10V（VGS）
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SUPERSOT-3
料号：JTG13-254
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF5434' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBFJ108
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:30pF @ 10V（VGS） *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：80mA @ 15V
4电阻-rds（开）：8 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SUPERSOT-3
料号：JTG13-257
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBFJ108' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BFR31,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:30pF @ 10V（VGS） *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1mA @ 10V
4电阻-rds（开）：4pF @ 10V
5最大功率 值：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG13-260
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR31,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BFR31,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:30pF @ 10V（VGS） *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1mA @ 10V
4电阻-rds（开）：4pF @ 10V
5最大功率 值：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG13-261
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR31,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR31,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： J107
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *4电阻-rds（开）:8.2pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:40 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:1.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *4电阻-rds（开）:3pF @ 10V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *4电阻-rds（开）:0.7pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:80 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *4电阻-rds（开）:50 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *4电阻-rds（开）:7pF @ 15V *5最大功率 值:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):40mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:12 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):30mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:30pF @ 10V（VGS） *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *4电阻-rds（开）:4pF @ 10V *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):25V 漏极电流（id） - 最大值:100mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:8 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：25V
4电阻-rds（开）：8 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-264
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J107' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J107' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J107' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J107' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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